АНАЛИЗ МОРФОЛОГИИ ТРЕХМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ, ФОРМИРУЮЩИХСЯ НА НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЯХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ |
1 | |
2011 |
ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА |
научная статья | 539.234 | ||
41-46 | молекулярно-лучевая эпитаксия, кремний на сапфире, самоорганизация |
Рассматривается модель образования трехмерных островков кремния на сапфире на начальных стадиях гетероэпитаксии. Выявлена зависимость изотропии формы островка от его геометрических размеров, и определены переходные критические параметры. Установлено, что энергетически выгодным является формирование изотропных островков при размерах меньших критического, а анизотропных - при размерах больших критического. Показано хорошее согласие теоретических расчетов с экспериментальными данными атомно-силовой микроскопии морфологии слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. |
1 . Адонин А.С. Новые возможности технологии БИС со структурой «кремний на сапфире» // Элек-тронные компоненты. 2000. № 3. С. 1-5. 2 . Richmond E.D., Twigg M.E., Qadri S. et al. Mo-lecular beam epitaxy versus chemical vapor deposition of silicon on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56, № 25. P. 2551-2553. 3 . Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Кривулин Н.О. Формирование нанокристаллическо-го кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Письма в ЖТФ. 2010. Том 36. Вып. 12. С. 16-22. 4 . Развитие физических основ метода МЛЭ нанометровых кремниевых и кремний-германиевых сло?в на сапфире: отчет по НИР (промежуточный) / Аналитическая ведомственная целевая программа «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010 годы)» (АВЦП РПН). Мероприятие 2. Раздел 2.1. Подраздел 2.1.1. Регистрационный номер: 2.1.1/3626. 5 . Nie J. C., Yamasaki H., Mawatari Y. Self-assembled growth of CeO2 nanostructures on sapphire // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 195421. 6 . Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Bimberg D. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. P. 2968-2971. 7 . Alerhand O.L., Vanderbilt D., Meade R.D., Jo-annopoulos J.D. Spontaneous formation of stress do-mains on crystal surfaces // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. P. 1973-1976. 8 . Adam Li, Feng Liu, Lagally M.G. Equilibrium shape of two-dimensional islands under stress // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. P. 1922-1925. 9 . Middel M.T., Zandvliet H.J.W., Poelsema B. Surface stress anisotropy of Ge(001) // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. P. 196105. 10 . Tersoff J., Tromp R.M. Shape transition in growth of strained islands: Spontaneous formation of quantum wires // Phys. Rev. Lett. 1993. Vol. 70. P. 2782-2785. 11 . Shchukin V.A., Borovkov A.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. Tuning and breakdown of faceting under externally applied stre // Phys. Rev. В. 1995. Vol. 51. P. 10104-10118. 12 . Stekolnikov A.A., Furthmuller J., Bechstedt F. Absolute surface energies of group-IV semiconductors: Dependence on orientation and reconstruction // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 115318. 13 . Villarrubia J.S. Algorithms for scanned probe microscope image simulation, surface reconstruction, and tip estimation // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 1997. Vol. 102. P. 425-454. 14 . Klapetek P., Ohl?dal I., B?lek J. Influence of the atomic force microscope tip on the multifractal analysis of rough surfaces // Ultramicroscopy. 2004. Vol. 102. Issue 1. P. 51-59. |