Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

АНАЛИЗ МОРФОЛОГИИ ТРЕХМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ, ФОРМИРУЮЩИХСЯ НА НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЯХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ


Номер журнала
1
Дата выпуска
2011

Раздел
ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.234
Страницы
41-46
Ключевые слова
молекулярно-лучевая эпитаксия, кремний на сапфире, самоорганизация

Авторы
Павлов Дмитрий Алексеевич
Шиляев Павел Анатольевич
Коротков Евгений Владимирович
Пирогов Алексей Владимирович

Место работы
Павлов Дмитрий Алексеевич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Шиляев Павел Анатольевич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Коротков Евгений Владимирович
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Пирогов Алексей Владимирович
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Рассматривается модель образования трехмерных островков кремния на сапфире на начальных стадиях гетероэпитаксии. Выявлена зависимость изотропии формы островка от его геометрических размеров, и определены переходные критические параметры. Установлено, что энергетически выгодным является формирование изотропных островков при размерах меньших критического, а анизотропных - при размерах больших критического. Показано хорошее согласие теоретических расчетов с экспериментальными данными атомно-силовой микроскопии морфологии слоев кремния на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Адонин А.С. Новые возможности технологии БИС со структурой «кремний на сапфире» // Элек-тронные компоненты. 2000. № 3. С. 1-5.
2 . Richmond E.D., Twigg M.E., Qadri S. et al. Mo-lecular beam epitaxy versus chemical vapor deposition of silicon on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56, № 25. P. 2551-2553.
3 . Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Кривулин Н.О. Формирование нанокристаллическо-го кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Письма в ЖТФ. 2010. Том 36. Вып. 12. С. 16-22.
4 . Развитие физических основ метода МЛЭ нанометровых кремниевых и кремний-германиевых сло?в на сапфире: отчет по НИР (промежуточный) / Аналитическая ведомственная целевая программа «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010 годы)» (АВЦП РПН). Мероприятие 2. Раздел 2.1. Подраздел 2.1.1. Регистрационный номер: 2.1.1/3626.
5 . Nie J. C., Yamasaki H., Mawatari Y. Self-assembled growth of CeO2 nanostructures on sapphire // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 195421.
6 . Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Bimberg D. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75. P. 2968-2971.
7 . Alerhand O.L., Vanderbilt D., Meade R.D., Jo-annopoulos J.D. Spontaneous formation of stress do-mains on crystal surfaces // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. P. 1973-1976.
8 . Adam Li, Feng Liu, Lagally M.G. Equilibrium shape of two-dimensional islands under stress // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 85. P. 1922-1925.
9 . Middel M.T., Zandvliet H.J.W., Poelsema B. Surface stress anisotropy of Ge(001) // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. P. 196105.
10 . Tersoff J., Tromp R.M. Shape transition in growth of strained islands: Spontaneous formation of quantum wires // Phys. Rev. Lett. 1993. Vol. 70. P. 2782-2785.
11 . Shchukin V.A., Borovkov A.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. Tuning and breakdown of faceting under externally applied stre // Phys. Rev. В. 1995. Vol. 51. P. 10104-10118.
12 . Stekolnikov A.A., Furthmuller J., Bechstedt F. Absolute surface energies of group-IV semiconductors: Dependence on orientation and reconstruction // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 115318.
13 . Villarrubia J.S. Algorithms for scanned probe microscope image simulation, surface reconstruction, and tip estimation // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 1997. Vol. 102. P. 425-454.
14 . Klapetek P., Ohl?dal I., B?lek J. Influence of the atomic force microscope tip on the multifractal analysis of rough surfaces // Ultramicroscopy. 2004. Vol. 102. Issue 1. P. 51-59.