Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

СИНТЕЗ ?-SIC В СЛОЯХ SIC

Номер журнала	2
Дата выпуска	2011

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	539.216.2:538.975
Страницы	38-45	Ключевые слова	карбид кремния, ионная имплантация, структура, кристаллизация, карбид кремния, ионная имплантация, структура, кристаллизация

Авторы

Бейсембетов Искандер КалыбековичБейсенханов Нуржан БейсенхановичДощанов Альден МейржановичЖариков Сагиндык КиякбаевичКенжалиев Багдаулет КенжалиевичНусупов Каир Хамзаевич

Место работы

Бейсембетов Искандер Калыбекович Казахстанско-Британский технический университет, Алматы
Бейсенханов Нуржан Бейсенханович Казахстанско-Британский технический университет, Алматы
Дощанов Альден Мейржанович Казахстанско-Британский технический университет, Алматы
Жариков Сагиндык Киякбаевич Казахстанско-Британский технический университет, Алматы
Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич Казахстанско-Британский технический университет, Алматы
Нусупов Каир Хамзаевич Казахстанско-Британский технический университет, Алматы

Аннотация

Показано, что после отжига при 1200?С слоев SiC

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Yu Liangdeng, Saweat Intarasiri, Teerasak Kamwanna, Somsorn Singkarat. Ion beam synthesis and modification of silicon carbide // Ion beam applications in surface and bulk modification of insulators. IAEA, Austria, Vienna, IAEA-TECDOC-1607. 2008. P. 63-92.
2 . Лебедев А.А., Мосина Г.Н., Никитина И.П. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 24. С. 57-63.
3 . Семенов А.В., Пузиков В.М., Голубова Е.П. и др. // ФТП. 2009. T. 43. Вып. 5. С. 714-718.
4 . Borders J.A., Picraux S.T. and Beezhold W. // Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18, iss. 11. Р. 509-511.
5 . Баранова Е.K., Демаков K.Д., Старинин K.В. и др. // Доклады АН СССР. 1971. 200. C. 869-870.
6 . Герасименко Н.Н., Кузнецов О.Н., Лежейко Л.В. и др. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3. Вып. 5. С. 467-468.
7 . Akimchenko I.P., Kisseleva K.V., Kras-nopevtsev V.V. и др. // Rad. Eff. 1980. 48. P. 7-12.
8 . Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Beisenkhanov N.B. // Nucl. Instr. and Meth. B. 1993. Vol. 82. Р. 69-79.
9 . Баязитов Р.М., Хайбуллин И.Б., Баталов Р.И., Нурутдинов Р.М. // Журнал технической физики. 2003. 73, вып. 6. C. 82-85.
10 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И. и др. // Поверхность. Рентг., синхр. нейтр. иссл. 2009. № 9. С. 50-57.
11 . Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Валитова И.В. и др. // Физика твердого тела. 2006. Т. 48. Вып. 7. С. 1187-1200.
12 . Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valito-va I.V. et al. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2008. V. 19. P. 254-262.
13 . Бейсенханов Н.Б. // Вестник ННГУ. 2010. № 1. С. 46-56.
14 . Бейсенханов Н.Б. // Поверхность. Рентг., синхр. нейтр. иссл. 2010. № 10. С. 73-78.
15 . Calcagno L., Compagnini G., Foti G., et al. // Nucl. Instr. and Meth. B. 1996. 120. P. 121-124.
16 . Акимченко И.П., Каздаев Х.Р., Краснопевцев В.В. // ФТП. 1977. T. 11, вып. 10. С. 1964-1966.
17 . Wong S.P., Chen D., Ho L.C., et al. // Nucl. In-str. and Meth. B. 1998. 140. P. 70-74.
18 . Kimura T., Kagiyama Sh. and Yugo Sh. // Thin Solid Films. 1981. 81. P. 319-327.
19 . Shimizu-Iwayama T., Nakao S., Saitoh K. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65(14). P. 1814-1816.