ПРИМЕНЕНИЕ КВАЗИГИДРОДИНАМИЧЕСКОГО ПРИБЛИЖЕНИЯ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧИ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ |
| 2 | |
| 2011 |
| научная статья | 621.315.592 | ||
| 62-70 | время релаксации квазиимпульса, время релаксации энергии, эффект всплеска скорости |
| Рассмотрены условия применения квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при температурах 300…500 К. Определена температурная чувствительность параметров квазигидродинамической модели: времен релаксации энергии и квази-импульса электронов, зависимости средней энергии электронов от напряженности однородного электрического поля. Адекватность модели доказана путем сопоставления вычисленных и измеренных зависимостей подвижности и средней дрейфовой скорости электронов от температуры. Обсуждено влияние температуры на эффект всплеска скорости электронов. |
 |
| 1 . Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. 2 . Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с. 3 . Моряшин А.В., Перов М.Ю., Оболен-ский С.В., Якимов А.В. // Изв. вузов. Радиофизика. 2007. Т. 50, № 4. С. 147-158. 4 . Оболенский С.В. // Изв. вузов. Электроника. 2002. № 6. С. 31-38. 5 . Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев Н.В. и др. // ФТП. 2000. Т. 34, вып. 2. С. 239-242. 6 . Демиховский В.Я., Дутышев В.Н., Павлов Г.П. и др. // Микроэлектроника. 1989. № 4. С. 372-374. 7 . Jacoboni C. and Reggiani L. // Rev. of Mod. Phys. 1983. Vol. 55, No. 3. P. 645-705. 8 . Fischetti M. and Laux S. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38, No. 14. P. 9721-9745. 9 . Tang J.Y. and Hess K. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54, No. 9. P. 5139-5144. 10 . Wang Cheng T. // Solid-St. Electron. 1985. Vol. 28, No. 8. P. 783-788. 11 . Obolensky S.V., Shmagin V.B., Remizov D.Y. et al. // IEEE Journal of selected topics in quantum elec-tronics. 2006. Vol. 12, № 6. P. 1556-1560. 12 . Sandborn P.A., Rao A. and Blakey P.A. // IEEE Transactions on electron devices. 1989. Vol. ED-36, No. 7. P. 1244-1253. 13 . Пожела Ю. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977. 368 с. 14 . Thornber K.K. // J. Appl. Phys. 1980. Vol. 51. No. 4. P. 2127. 15 . Constant E. Non-steady-state carrier transport in semiconductors in perspective with submicrometer de-vices // Hot electron transport in semiconductors. Topic in Applied Physics. Vol. 58 / Ed. L. Reggiani. Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo: Springer Verlag, 1985. P. 227-261. 16 . Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1976. 615 с. 17 . Canali C., Jacoboni C., Nava F. et al. // Phys. Rev. B. 1975. Vol. 15, No 4. P. 2265-2284. 18 . Li S.S. and Thurber W.R. // Solid-St. Electron. 1977. Vol. 20, No. 7. P. 609-616. |