Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

СИНТЕЗ ПЛЕНОК СО СТРУКТУРОЙ ТИПА АЛМАЗА (С, SIC) НА КРЕМНИИ ОСАЖДЕНИЕМ ЛИБО ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ 12С+


Номер журнала
3
Дата выпуска
2011

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.216.2:537.311:322
Страницы
50-55
Ключевые слова
углеродная пленка, МДП-структура, карбид кремния, ионная имплантация

Авторы
Бейсембетов Искандер Калыбекович
Бейсенханов Нуржан Бейсенханович
Дощанов Альден Мейржанович
Жариков Сагиндык Киякбаевич
Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич
Нусупов Каир Хамзаевич

Место работы
Бейсембетов Искандер Калыбекович
Казахстанско-Британский университет, Алматы, Казахстан

Бейсенханов Нуржан Бейсенханович
Казахстанско-Британский университет, Алматы, Казахстан

Дощанов Альден Мейржанович
Казахстанско-Британский университет, Алматы, Казахстан

Жариков Сагиндык Киякбаевич
Казахстанско-Британский университет, Алматы, Казахстан

Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич
Казахстанско-Британский университет, Алматы, Казахстан

Нусупов Каир Хамзаевич
Казахстанско-Британский университет, Алматы, Казахстан


Аннотация
С помощью модернизированного ускорителя выполнен синтез алмазоподобной углеродной пленки осаждением ионов углерода с энергией 75 эВ на поверхность пластины n-Si с ориентацией (100). По- лученная пленка характеризуется высокой твердостью, оптической прозрачностью и устойчивостью к окислительным процессам. Получена высокого качества МДП-структура Al ? C ? n-Si ? Al с четко выраженной границей раздела пленка?подложка. C?V-характеристика структуры не обнаруживает гистерезисных явлений. Выполнены исследования слоев кремния, имплантированных ионами углерода с энергией 40 кэВ и дозой 3.56?1017 см-2. С использованием термоЭДС был определен тип проводимости кристаллитов Si и SiC. Кристаллиты SiC независимо от типа проводимости исходной подложки имели дырочную проводимость, кристаллиты Si ? такую же проводимость, что и подложка.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . 1. Lee Chang Hyun, Lim Koeng Su //Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. № 1. P. 106.
2 . Breskin A., Chechik R., Shefer E., et al. //Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. № 25, P. 3446?{3448.
3 . Chen Oingyun, Granger M. C., Lister T. E., et al. //J. Electrochem. Soc. 1997. V. 144. № 11. P. 3806?{3812.
4 . Sarangi D., Panwar O.S., Kumar S., et al. //J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16. № 1. P. 203?{206.
5 . Лузин А.Н. // В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. С. 230?{233.
6 . Лузин А.Н., Мендрин Л.Л., Попов А.В. // В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. С. 233?{236.
7 . Чайковский Э.Ф., Пузиков В.М., Розенберг Г.Х. и др. // В сб.: Научные труды ВНИИ монокри- сталлов, сцинтилляционных материалов и особочи- стых химических веществ. 1984. № 12. С. 6?{11.
8 . Miyazawa T., Misawa S., Yoshida S. and Gonda S. // J. Appl. Phys. V. 55. 1984. №1. P. 188?{193.
9 . Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И. и др. // Поверхность. Рентг., синхр. нейтр. иссл. 2009. №9. С. 50?{57.
10 . Баранова Е.К., Демаков К.Д., Старинин К.В. и др. // Доклады АН СССР. Т. 200. 1971. № 4. C. 869?{870.
11 . Акимченко И.П., Каздаев Х.Р., Каменских И.А., Краснопевцев В.В. // ФТП. T. 13. Вып. 2. 1979. C. 375?{378.
12 . Rothemund W., Fritzsche C.R. // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology. 1974. V. 121. №4. P. 586?{588.
13 . Kimura T., Yugo Sh., Bao Zh.S., Adachi Y. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1989. 39. P. 238?{241.
14 . Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., и др. // Труды Института атомной энергии им. И.В. Курчатова. М., 1982. С. 94?{99.
15 . Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Bejsenkhanov N.B. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1993. 82. P. 69?{79.
16 . Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B. and Tokbakov J. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1995. 84. P. 161?{174.
17 . Demuynck L., Le Normand F. // Phys. Status Solidi. A. 1997. V. 161, №1. P. 217?{229.
18 . Георгиу В.Г. Вольт-фарадные измерения па- раметров полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1987. 65 с.
19 . Gibbons J.F., Johnson W.S. and Hylroic S.W. // Projected Range Statistics, 2nd edn. Dowden, Stroudsburg, PA, 1975. Part 1. P. 93.
20 . Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V. et al. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2008. 19. Р. 254?{262.
21 . Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Mit' K.A., et al. // Journal of High Temperature Material Processes. 2010. V. 14. Iss. 1. P. 183?{194.
22 . Sigmund P. // Phys. Rev. 1969. V. 184. №2. P. 383?{416.
23 . Liau Z.L., Mayer J. // J. Vac. Sci. Technol. 1978. V. 15. P. 1629.