АДМИТТАНС ДИОДНЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ |
5 | |
2011 |
ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА |
научная статья | 621.382 | ||
37-41 | адмиттанс, диодные структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, профиль легирования, ловушки |
Изучен адмиттанс диодных структур Au/Si, полученных на основе автолегированных фосфором
совершенных тонких слоев n-Si (0.5 - 2 мкм) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлен
профиль распределения концентрации фосфора по толщине слоя. Обнаружен захват электронов на
ловушки, и определены параметры центров захвата. |
1 . Папков В.С., Цыбульников М.В. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с. 2 . Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Светлов С.П. и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2009. № 2. С. 49-54. 3 . Локшин М.М., Лысенко В.С. и др. // УФЖ. 1984. №4. С. 738-742. 4 . Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. 5 . Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. 253 с. 6 . Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1981. 174 с. 7 . Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 525 с. 8 . Родерик Э.К. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 207 с. 9 . Электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире и шпинели // Обзоры по электронной технике. Серия 6 «Материалы». 1980. Выпуск 2(705). С. 2-38. 10 . Гаман В.И., Дробот П.Н., Дученко М.О. и др. // Поверхность. 1996. №11. С. 64-73. 11 . Зубков В.И. // Приложение к журн. «Вестник РГРТУ». Рязань. 2009. №4. 12 . Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 170 с. |