Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

АДМИТТАНС ДИОДНЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ


Номер журнала
5
Дата выпуска
2011

Раздел
ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
621.382
Страницы
37-41
Ключевые слова
адмиттанс, диодные структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, профиль легирования, ловушки

Авторы
Тихов Станислав Викторович
Павлов Дмитрий Алексеевич
Шенгуров Владимир Геннадьевич
Денисов Сергей Александрович
Чалков Вадим Юрьевич
Тестов Владимир Геннадьевич

Место работы
Тихов Станислав Викторович
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Павлов Дмитрий Алексеевич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Шенгуров Владимир Геннадьевич
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского

Денисов Сергей Александрович
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского

Чалков Вадим Юрьевич
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского

Тестов Владимир Геннадьевич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Изучен адмиттанс диодных структур Au/Si, полученных на основе автолегированных фосфором совершенных тонких слоев n-Si (0.5 - 2 мкм) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлен профиль распределения концентрации фосфора по толщине слоя. Обнаружен захват электронов на ловушки, и определены параметры центров захвата.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Папков В.С., Цыбульников М.В. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с.
2 . Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Светлов С.П. и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2009. № 2. С. 49-54.
3 . Локшин М.М., Лысенко В.С. и др. // УФЖ. 1984. №4. С. 738-742.
4 . Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987.
5 . Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. 253 с.
6 . Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1981. 174 с.
7 . Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 525 с.
8 . Родерик Э.К. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 207 с.
9 . Электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире и шпинели // Обзоры по электронной технике. Серия 6 «Материалы». 1980. Выпуск 2(705). С. 2-38.
10 . Гаман В.И., Дробот П.Н., Дученко М.О. и др. // Поверхность. 1996. №11. С. 64-73.
11 . Зубков В.И. // Приложение к журн. «Вестник РГРТУ». Рязань. 2009. №4.
12 . Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 170 с.