Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ЭВОЛЮЦИЯ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ БОРА И МАРГАНЦА, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В SI, SIO2 И GAAS ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ 300 К И 90 К

Номер журнала	5
Дата выпуска	2011

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	537.534.7 + 53.09 + 539.1.05
Страницы	42-49	Ключевые слова	ионная имплантация, температура образца, вторично-ионная масс-спектрометрия, профили распределения

Авторы

Агафонов Юрий АндреевичВяткин Анатолий ФедоровичПустовит Александр Никифорович

Место работы

Агафонов Юрий Андреевич Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка
Вяткин Анатолий Федорович Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка
Пустовит Александр Никифорович Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка

Аннотация

Проведены сравнительные исследования профилей распределений бора и марганца в образцах SiO2, Si и GaAs, полученных имплантацией примесей при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Установлено, что снижение температуры мишени во время имплантации приводит к сдвигу проецируемых пробегов в сторону меньших значений. Обсуждаются возможные причины обнаруженных изменений в профилях распределений примесей.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Ion Implantation - Science and Technology / Edited by J.F. Ziegler. Ion Implantation Technology Co., Copyright & Permissions Department, 1201 Dixona Drive, Edgewater, MD, USA, 2008.
2 . Мейер Дж., Эриксон Л., Девис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий). М.: Мир, 1973. 296 с.
3 . Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 320 c.
4 . Гурович Б.А., Долгий Д.И., Кулешова Е.А. и др. // УФН. 2001. Т. 171. № 1. С. 105-117.
5 . Гурович Б.А., Приходько К.Е. // УФН. 2009. Т. 179. № 2. С. 179-195.
6 . Collart E.J.H., Teel R., Free Ch., et al. // American Institute of Physics. Conference Proceedings 1321. Melville, New York, 2010. Р. 49-52.
7 . Chen H., Jen C.K., Lin T., Matsunaga Y. // American Institute of Physics. Conference Proceedings 1321. Melville, New York , 2010. Р. 53-56.
8 . Китель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.
9 . Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
10 . Агафонов Ю.А., Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Пустовит А.Н. // Вестник ННГУ. Сер. ФТТ. 2003. Вып.1(6). С. 47-51.
11 . Feldman L.C., MayerJ.W., Picraux S.T. Material Analysis by Ion Channeling. Academic Press, 1982. 300 p.
12 . Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U., The Stopping and Range of Ions in Solid. Vol.1. Pergamon Press, 1985. 321 p.
13 . Lindhard J., Scharff M., Schiott H.E. // Mat. Fys. Medd. Dan.Vid. Selsk. 1963. V. 33. № 14. P. 1.
14 . Пустовит А.Н. // Известия РАН. Серия Физическая. 2010. Т. 74. № 2. С. 184-188.
15 . Пустовит А.Н. // Поверхность. Рентг., синхротр. и нейтрон. исслед. 2004. № 5. С. 37-39.
16 . Пустовит А.Н. // Поверхность. Рентг., синхротр. и нейтрон. исслед. 2004. № 8. С. 15-18.