МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С УЛУЧШЕННЫМИ ПРОСТРАНСТВЕННЫМИ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ |
| 1 | |
| 2012 |
| ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА |
| научная статья | 621.382 | ||
| 30-32 | полупроводниковый лазер, квантовая яма, вытекающая мода |
| На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан высокоэффективный импульсный полупроводниковый лазерный диод с 94% выходом излучения в подложку и энергией излучения 280 мкДж в
режиме накачки одиночным импульсом тока величиной 130 А и длительностью 5 мкс в лазере с длиной 1 мм и шириной активной области 360 мкм. |
 |
| 1 . Слипченко С.О., Соколова З.Н., Пихтин Н.А. и др. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 1017. 2 . Алешкин В.Я., Бабушкина Т.С., Бирюков А.А. и др. // Квантовая электроника. 2010. Т. 40. С. 855. 3 . Звонков Н.Б., Звонков Б.Н., Ершов А.В. и др. // Квантовая электроника. 1998. Т. 25. Вып. 7. С. 622. 4 . Геловани В.А., Скороходов А.П., Швейкин В.И. Высокомощные диодные лазеры нового типа. М.: Эдиториал УРСС, 2005. |