ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ ДЛЯ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩИХ ЛАЗЕРОВ |
| 5 | |
| 2011 |
| научная статья | 621.373.826 | ||
| 80-84 | лазеры с вертикальным резонатором, оптическая накачка, фотолюминесценция полупроводников, многослойные брегговские зеркала |
| Рассмотрены особенности формирования спектров фотолюминесценции полупроводниковых структур, связанные с распределением поля в микрорезонаторе, образованном брегговским зеркалом и границей полупроводник-воздух. Приведены спектры для двух взаимно ортогональных поляризаций излучения фотолюминесценции в зависимости от угла. Измерения позволили проанализировать особенности взаимного согласования параметров микрорезонатора и активной среды, связанные с температурой, определить рабочие диапазоны значений параметров, обеспечивающих их согласование для данной структуры в системе с внешним резонатором. Результаты измерений могут быть использованы для получения линейной поляризации в вертикально излучающих лазерах с V-образной формой внешнего резонатора без дополнительных поляризующих элементов. |
 |
| 1 . Kuznetsov M. еt al. // IEEE Photonics Technol. Lett. 1997. V. 8. P. 1063. 2 . Garnache A. // Proc. of SPIE. 2011. V. 7919. P. 791914-1-11. 3 . Koch S.W // Proc. of SPIE. 2010. V. 7597. P. 75970O-1-14. 4 . Fan Li. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 021105 5 . Jacquemet M. // Appl. Phys. 2007. V 86. P. 503-510. 6 . Kuhn E. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. P. 063105. 7 . Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integreted circuit. New York: Wiley, 1995. 594 p. 8 . Adachi S. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. No. 3. P. R1-R29. 9 . Zakharian A.R. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. No. 7. P. 1313-1315. |