СТАТИСТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫХОДНОГО ПРОЦЕССА ПРИ БЕЗЫНЕРЦИОННОМ ДЕТЕКТИРОВАНИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИОДА ШОТТКИ С ?-ЛЕГИРОВАНИЕМ |
5 | |
2011 |
научная статья | 621.391.822 | ||
204-207 | диод Шоттки, дельта-легирование, вольтамперная характеристика, детектирование, кумулянтные функции |
Исследован вопрос нахождения среднего значения и дисперсии выходного процесса при безынерционном детектировании случайного стационарного процесса с учётом обрат-ной связи с использованием диода Шоттки с ?-легированием. Зависимости выходных параметров от входных получены в гауссовом приближении. |
1 . Шашкин В.И., Вакс В.Л., Данильцев В.М. и др. Микроволновые детекторы на основе низкобарьерных планарных диодов Шоттки и их характеристики // Изв. вузов. Радиофизика. 2005. Т. 48. Вып. 6. С. 544-551. 2 . Shashkin V.I., Drjagin Yu.A., Zakamov V.R. et al. Millimeter-wave Detectors Based on Antenna-coupled Low-barrier Schottky Diodes // International Journal of Infrared and Millimeter Waves. 2007. V. 28. № 11. P. 945-952. 3 . Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью ?-легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2002. Т. 36. Вып. 5. С. 537-542. 4 . Шашкин В.И., Мурель А.В. Теория туннельного токопереноса в контактах металл-полупроводник с приповерхностным изотипным ?-легированием // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 5. С. 574-579. 5 . Малахов А. Н. Кумулянтный анализ случайных негауссовых процессов и их преобразований. М.: Советское радио, 1978. 376 с. 6 . Yakimov A.V., Klyuev A.V., Shmelev E.I. et al. 1/F noise in Si delta-doped Schottky diodes // Proc. 20-th Int. Conf. «Noise and Fluctuations, ICNF 2009». Pisa, Italy, 14-19 June 2009. P. 225-228. |