МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПОЛЕЙ В МОЩНЫХ INALAS / INGAAS ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 0.1...0.3 ТГЦ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ |
| 5 | |
| 2011 |
| научная статья | 621.382.33 | ||
| 348-353 | гетероструктурный транзистор, тепловые поля, аналитическая модель транзистора |
| Предложена аналитическая модель для расчета электрических и тепловых параметров полевых транзисторов, в том числе транзисторов с двумерным электронным газом НЕМТ. Проведен расчет тепловых полей в InAlAs / InGaAs мощном многосекционном полевом транзисторе. Результаты расчета по предложенной модели сопоставлены с численными трехмерными расчетами, показано, что погрешность предложенной аналитической формулы не превышает 15%. |
 |
| 1 . Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 2 . Ди Лоренцо Д.В., Канделуола Д.Д. Полевые транзисторы на арсениде галлия. М.: Радио и связь, 1988. 3 . Moran D.A.J. , Kalna K., Boyd E., McLelland F., et al. Self-ligned 0.12 ?m T-gate In.53Ga.47As/In.52Al.48As HEMT technology utilizing a non-annealed ohmic contact strategy. Department of Electronics Engineering, Glasgow. January, 2004. 4 . Del Alamo J.A., Somerville M.H. Breakdown in millimeter-wave power InP HEMT's: a comparison with GaAs PHEMT's // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1999. V. 34, № 9. |