ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР IN(GA)AS/GAAS, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ |
| 2 | |
| 2012 |
| ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА |
| научная статья | 621.382 | ||
| 34-38 | квантовая яма, квантовые точки, температурная зависимость фоточувствительности, дефектообразование, рекомбинационное время жизни |
| Исследовано влияние на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs поверхностного дефектообразования при анодном окислении и облучении ионами гелия поверхности структур. Показано, что фоточувствительность в области основного оптического перехода в квантовых точках и ямах и температурная зависимость этой фоточувствительности при низких температурах являются чувствительными индикаторами образования в квантово-размерных слоях дефектов, являющихся эффективными центрами рекомбинации. |
 |
| 1 . Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. T. 32. № 1. С. 3-18. 2 . Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. T. 32. № 4. С. 385-410. 3 . Heinrichsdorff F., Ribbat Ch., Grundmann M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 556-558. 4 . Kastalsky A., Vorobjev L.E., Firsov A. et al. // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2001. V. 37. P. 1356-1362. 5 . Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 1994. Т. 28. № 1. С. 104-112. 6 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. № 9. С. 92-93. 7 . Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Тихов С.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. № 1. С. 45-48. 8 . Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. N. Y.: Pergamon Press, 1985. 321 p. 9 . Вяткин А.Ф., Итальянцев А.Г., Конецкий И.В. и др. // Поверхность. 1986. № 11. С. 67-72. 10 . Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю. и др. // ФТП. 2008. T. 42. № 9. С. 1122-1125. |