ИССЛЕДОВАНИЕ ЭМИССИИ ФОТОВОЗБУЖДЕННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ИЗ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS/GAAS, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ |
4 | |
2012 |
научная статья | 621.382 | ||
88-90 | фотоэлектрическая спектроскопия, квантово-размерные гетеронаноструктуры, квантовые точки, механизмы эмиссии, дефектообразование |
Методом фотоэлектрической спектроскопии исследованы эмиссия носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, и влияние на нее электрического поля, температуры и
дефектообразования. Показано, что при относительно низкой напряженности электрического поля
основным механизмом эмиссии носителей является термоактивированная эмиссия, а в сильных полях
- туннельная эмиссия. Образование дефектов при облучении ионами гелия поверхности структур приводит к подавлению эмиссии носителей из квантовых точек вследствие появления эффективного канала рекомбинации. |
1 . Kapteyn C.M.A., Lion M., Heitz R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 1573-1575. 2 . Fry P.W., Itskevich I.E., Parnell S.R. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16784-16791. 3 . Geller M. Ph.D. thesis. Technical University of Berlin, 2007. 140 p. 4 . Гладышев Е.Е., Горшков А.П. // Научно- технические ведомости СПбГПУ. Серия Физико- математические науки. 2009. Т. 2. № 77. С. 11-14. 5 . Волкова Н.С., Горшков А.П. // Научно- технические ведомости СПбГПУ. Серия Физико- математические науки. 2010. Т. 3. С. 63-65. 6 . Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. № 9. С. 92-93. 7 . Fry P.W., Itskevich I.E., Mowbray D.J. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 84. P. 733-736. 8 . Горшков А.П., Карпович И.А., Кудрин А.В. // Поверхность. 2006. №5. C. 25-29. 9 . Истомин Л.А. Автореферат дис. ... к-та физ.- мат. наук. ННГУ, 2010. 17 с. 10 . Шаталина Е.С., Блохин С.А., Надточий А.М. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. № 10. С. 1348-1352. 11 . Карпович И.А., Аншон А.В., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 1994. Т. 28. № 1. С. 104-112. |