Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ GАN-СТРУКТУР ПРИ НЕЙТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ

Номер журнала	6
Дата выпуска	2012

Тип статьи		Коды УДК	621.382:539.12.04
Страницы	51-55	Ключевые слова	нейтронное излучение, GaN/InGaN-, структуры и LED, спектр электролюминесценции, электролюминесцентная деградация

Авторы

Шукайло Валерий ПавловичОболенский Сергей ВладимировичБасаргина Наталья ВитальевнаВорожцова Ирина ВалерьевнаДубровских Сергей МихайловичТкачёв Олег Валерьевич

Место работы

Шукайло Валерий Павлович РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Оболенский Сергей Владимирович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Басаргина Наталья Витальевна РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Ворожцова Ирина Валерьевна РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Дубровских Сергей Михайлович РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Ткачёв Олег Валерьевич РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск

Аннотация

Представлены результаты по влиянию нейтронного облучения на GaN/InGaN-структуры и светодиоды, выполненные на базе данных структур. При этом исследовали спектры электролюминесценции, а также контролировали длительность релаксации свечения для различных составляющих спектра при возбуждении диодов импульсом напряжения. Нейтронное облучение приводит к уширению спектра электролюминесценции и сдвигу его максимума в красную область. Изменение спектра, вероятно, связано с неравномерным распределением индия в квантовой яме структур. В областях с большим содержанием индия, отвечающих за длинноволновую область спектра, локализуются инжектированные носители заряда, это препятствует их диффузии к радиационным дефектам, и, как следствие, люминесценция из этих областей меньше подвержена деградации.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Шуберт Ф. Светодиоды / Под ред. А.Э. Юновича. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. 495 с.
2 . Шукайло В.П., Дубровских С.М., Ткачёв О.В. и др. Нейтронная деградация фото- и электролюминесценции GaN/InGaN-структур // ВАНТ. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2008. Вып.1. С. 48–52.
3 . Ворожцова И.В., Дубровских С.М., Ткачёв О.В. и др. Влияние нейтронного излучения на GaAs и GaN светоизлучающие структуры // Сборник докладов 9-й межотраслевой конференции по радиационной стойкости. Снежинск: Изд-во РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 92–99.
4 . Диянков В.С., Ковалёв В.П., Кормилицын А.И. и др. Обзор экспериментальных установок ВНИИТФ для радиационных исследований // ФММ. 1996. Т. 8. Вып. 2.
5 . Басаргина Н.В., Ворожцова И.В., Дубровских С.М. и др. Изменение характеристик светоизлучающих структур на основе GaN во время и после облучения на реакторе ИГРИК // Сборник докладов 9-й межотраслевой конференции по радиационной стойкости. Снежинск: Изд-во РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С.107–113.
6 . Шукайло В.П., Ткачёв О.В., Дубровских С.М. Изменение характеристик светодиодов на основе GaAs и GaN при воздействии гамма-нейтронного излучения // IX Международный уральский семинар «Радиационная физика металлов и сплавов». Тезисы докладов. Снежинск, 2011. С. 64.
7 . Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С. и др. Особенности формирования внедрений InGaN в матрице GaN при выращивании методом VOCVD // ФТП. 2000. Т. 34. Вып.6. Gerthsen D., Hahn E., Neubauer B. et al. // Рhys. Stat. Sol. (c). 2003. № 6. Р. 1668–1683.
8 . Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Юнович А.Э. и др. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN – зависимость от тока и напряжения // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 861–868.