Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ


Номер журнала
2
Дата выпуска
2013

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.16.04
Страницы
52-55
Ключевые слова
математическая модель, радиационные эффекты, биполярный транзистор, полупроводниковый диод

Авторы
Хананова Александра Викторовна
Аверяскин Антон Сергеевич

Место работы
Хананова Александра Викторовна
Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина, Снежинск

Аверяскин Антон Сергеевич
Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина, Снежинск


Аннотация
Представлен способ учета влияния нейтронного облучения на электронные компоненты путем изменения параметров их моделей. С помощью приведенных формул параметры SPICE-моделей биполярного транзистора и полупроводникового диода пересчитываются в зависимости от флюенса нейтронов. Для учета ионизации в электрические схемы предлагается вводить генераторы электрического тока. Приведены результаты моделирования участков схем.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969.
2 . Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М.: Советское радио, 1980.
3 . Аверяскин А.С, Хананова А.В. Математическое моделирование полупроводниковых элементов и функционирования схем на их основе после нейтронного облучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». 2012. Вып. 1. С. 46–50.
4 . Патрикеев Л.Н. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: МИФИ, 1975.