Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ДЕГРАДАЦИИ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ТОНКОЙ БАЗОЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ДЕФЕКТООБРАЗУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Номер журнала	2
Дата выпуска	2013

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621.382.33
Страницы	56-59	Ключевые слова	биполярный транзистор с тонкой базой, баллистический перенос носителей заряда, дефектообразующая радиация

Авторы

Киселев Владимир КонстантиновичОболенский Сергей ВладимировичПузанов Александр Сергеевич

Место работы

Киселев Владимир Константинович НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Н. Новгород
Оболенский Сергей Владимирович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Пузанов Александр Сергеевич НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, Н. Новгород

Аннотация

Разработана аналитическая модель деградации статических и малосигнальных характеристик биполярных транзисторов с тонкой базой. Учтены воздействие радиационного излучения и баллистический предел скорости носителей заряда. Теоретически показано, что с уменьшением толщины базы менее 100 нм деградация статических характеристик транзистора уменьшается.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Paul D.J. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. P. 75–108.
2 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии фотонного импульсного излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру» (в печати).
3 . Hansen O. Diffusion in a short base // Solid-State Electronics. 1994. V. 37. № 9. P. 1663–1669.
4 . Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М.: Советское радио, 1980. 224 с.
5 . Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. М.: Энергия, 1971. 272 с.
6 . Pulfrey D.L., St. Denis A.R., Vaidyanathan M. Compact modelling of high-frequency small-dimension bipolar transistors // IEEE COMMAD98. 1998. P. 1–5.
7 . Vaidyanathan M., Pulfrey D.L. Effects of quasi-ballistic base transport on the high-frequency characteristics of bipolar transistors // IEEE Transactions on Electron Devices. 1997. V. ED-44. P. 618–626.
8 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 4. С. 304–312.