РАСЧЕТ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ В НЕОДНОРОДНОЙ НАНОРАЗМЕРНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛЕНКЕ НА ПОДЛОЖКЕ |
| 4 | |
| 2011 |
| научная статья | 539.3 | ||
| 405-406 | полупроводниковая пленка, упругая деформация, островки Странского ? Краста- нова, смачивающий слой, свободная энергия, метод конечных элементов |
| Исследовано распределение концентрации Ge в пирамидальных островках на поверхности полупро- водниковой пленки, состоящих из сплава SiGe. Построена трехмерная модель островков Странского ? Крастанова. Расчет упругих деформаций был выполнен с использованием метода конечных элементов. Для расчета распределения Ge использованы аппроксимирующие формулы и итерационный алгоритм. |
 |
| 1 . Berbezier I., Ronda A. // Surface Science Report. 2009. V. 54. P. 47?98. 2 . Digiuni D., Gatti R., Montalenti F. // Physical review. 2009. V. 80. P. 155436. 3 . Paul D.J. // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. R75?R108. 4 . Бычков А.А., Карпинский Д.Н. // Актуальные проблемы прочности: Сб. трудов XLVIII Междунар. конф., посвященной памяти М.А. Криштала. Тольятти: ТГУ, 2009. С. 220?221. |