Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ВЛИЯНИЕ ГАММА-НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА GAN-ТРАНЗИСТОРЫ С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ

Номер журнала	3
Дата выпуска	2013

Раздел

РАДИОФИЗИКА

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621.382.33
Страницы	61-65	Ключевые слова	HEMT, двумерный электронный газ, кванты высоких энергий

Авторы

Басаргина Наталья ВитальевнаВорожцова Ирина ВалерьевнаДубровских Сергей МихайловичТкачёв Олег ВалерьевичШукайло Валерий ПавловичТарасова Елена АлександровнаЧурин Андрей ЮрьевичОболенский Сергей Владимирович

Место работы

Басаргина Наталья Витальевна РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Ворожцова Ирина Валерьевна РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Дубровских Сергей Михайлович РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Ткачёв Олег Валерьевич РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Шукайло Валерий Павлович РФЯЦ–ВНИИТФ им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск
Тарасова Елена Александровна Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Чурин Андрей Юрьевич Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Оболенский Сергей Владимирович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния импульсного гамма-нейтронного облучения на выходные характеристики HEMT на основе GaN (CGH40010 производства компании Cree (США)). Исследования характеристик транзистора производили как непосредственно в момент воздействия гамма-нейтронного излучения экспресс-методом, так и спустя некоторое время более детально в лабораторных условиях. Обнаружено, что в отличие от традиционных СВЧ-транзисторов со встроенным каналом изменения напряжения смещения транзистора обусловлены не столько изменением концентрации электрически активных доноров, а накоплением радиационно-индуцированных зарядов в диэлектрических слоях и на границах полупроводниковых слоев. Последнее характерно для кремниевых МДП-транзисторов.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Экспериментальная база установок РФЯЦ-ВНИИТФ для радиационных исследований и испытаний изделий электронной техники //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2008. Вып. 2. С.121–125.
2 . Крыжановский В.А., Магда Э.П., Бочков А.В. ЭБР-Л – экспериментальная установка для исследования лазеров с ядерной накачкой //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика ядерных реакторов. 2003. Вып. 1, 2. С. 28–30.
3 . Бакулин А.П., Ноздрачев С.Ю. Методика выполнения измерений экспозиционной дозы гамма-излучения с помощью детекторов СГД-8 //НИИП, инв. № М–158. 2003.
4 . Афанасьев В.Н., Бычков В.Б., Кедров А.В. и др. Способ регистрации набора флюенса нейтронов на импульсных реакторах //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2001. Вып. 3–4. С.119–121.
5 . Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенский С.В. и др. InAlAs/InGaAs HEMT при облучении квантами высоких энергий// Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 12. С. 1587–1592.
6 . Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Университетское изд-во, 1992.
7 . Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012. 304 с. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. 3-е изд., доп. М.: Техносфера, 2008. 512 с.
8 . Беляев А.Е., Клюй Н.И., Конакова Р.В. и др. Исследование методом электроотражения влияния ?-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 3. С. 317–319.