ВЛИЯНИЕ ГАММА-НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА GAN-ТРАНЗИСТОРЫ С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ |
3 | |
2013 |
РАДИОФИЗИКА |
научная статья | 621.382.33 | ||
61-65 | HEMT, двумерный электронный газ, кванты высоких энергий |
Представлены результаты исследования влияния импульсного гамма-нейтронного облучения на выходные характеристики HEMT на основе GaN (CGH40010 производства компании Cree (США)). Исследования характеристик транзистора производили как непосредственно в момент воздействия гамма-нейтронного излучения экспресс-методом, так и спустя некоторое время более детально в лабораторных условиях. Обнаружено, что в отличие от традиционных СВЧ-транзисторов со встроенным каналом изменения напряжения смещения транзистора обусловлены не столько изменением концентрации электрически активных доноров, а накоплением радиационно-индуцированных зарядов в диэлектрических слоях и на границах полупроводниковых слоев. Последнее характерно для кремниевых МДП-транзисторов. |
1 . Экспериментальная база установок РФЯЦ-ВНИИТФ для радиационных исследований и испытаний изделий электронной техники //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2008. Вып. 2. С.121–125. 2 . Крыжановский В.А., Магда Э.П., Бочков А.В. ЭБР-Л – экспериментальная установка для исследования лазеров с ядерной накачкой //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика ядерных реакторов. 2003. Вып. 1, 2. С. 28–30. 3 . Бакулин А.П., Ноздрачев С.Ю. Методика выполнения измерений экспозиционной дозы гамма-излучения с помощью детекторов СГД-8 //НИИП, инв. № М–158. 2003. 4 . Афанасьев В.Н., Бычков В.Б., Кедров А.В. и др. Способ регистрации набора флюенса нейтронов на импульсных реакторах //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2001. Вып. 3–4. С.119–121. 5 . Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенский С.В. и др. InAlAs/InGaAs HEMT при облучении квантами высоких энергий// Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 12. С. 1587–1592. 6 . Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Университетское изд-во, 1992. 7 . Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012. 304 с. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. 3-е изд., доп. М.: Техносфера, 2008. 512 с. 8 . Беляев А.Е., Клюй Н.И., Конакова Р.В. и др. Исследование методом электроотражения влияния ?-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 3. С. 317–319. |