ОСОБЕННОСТИ МЕХАНИЗМА РЕАКЦИЙ ГАЛОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ (II) С АММИАКОМ |
| 3 | |
| 2013 |
| ХИМИЯ |
| научная статья | 546.25 + 546.289 | ||
| 84-90 | квантово-химический метод, QCISD(T), B3LYP, гермилен, аммонолиз, реакция внедрения, синглет, триплет, энергия активации, переходное состояние |
| С использованием современных квантово-химических методов QCISD(T) и B3LYP проведено систематическое исследование аммонолиза GeL
2 (L = H, F, Cl и Br) в газовой фазе. Рассмотрены два возможных механизма внедрения GeL
2 в ?-связь N–H: трехцентровой синхронный и свободнорадикальный типа «отрыв – рекомбинация». Последний случай характерен для гермиленов в триплетном состоянии. Установлено, что конечными продуктами аммонолиза являются HL
2GeNH
2, HLGeNH, L
4Ge
2H
2 и HL. Как показали расчеты, на первой стадии данного процесса образуется стабильный комплекс |
 |
| 1 . Lieten R.R., Afanas’ev V.V., Thoan N.H., Degroote S., Walukiewicz W., Borghs G. // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. № 4. P. H358–H362. 2 . Нефёдов О.М., Иоффе А.И., Менчиков Л.Г. Химия карбенов. М.: Химия, 1990. 304 с. 3 . Egorov M.P., Boganov S.E., Faustov V.I., Krylova I.V., Nefedov O.M. // Russ. Chem. Bull., Int. Ed. 2005. V. 54. № 3. P. 483–511. 4 . Gaussian 03, Revision A., Frisch M., Trucks G., Schlegel H., Scuseria G., Robb M., Cheeseman J., MontgomeryJ., Vreven Т., Kudin K., Burant J., Millam J., Iyengar S., Tomasi J., Barone V., Mennucci В., Cossi M., Scalmani G., Rega N., Petersson G., Nakatsuji H., Hada M., Ehara M., Toyota K., Fukuda R., Hasegawa J., Ishida M., Nakajima Т., Honda Y., Kitao O., Nakai H., Klene M., Li X., Knox J., Hratchian H., Cross J., Adamo C., Jaramillo J., Gomperts R., Stratmann R., Yazyev O., Austin A., Cammi R., Pomelli C., Ochterski J., Ayala P., Morokuma K., Voth G., Salvador P., Dannenberg J., Zakrzewski V., Dapprich S., Daniels A., Strain M., Farkas O., Malick D., Rabuck D., Raghavachari K., Foresman J., Ortiz J., Cui Q., Baboul G., Clifford S., Cioslowski J., Stefanov В., Liu G., Liashenko A., Piskorz P., Komaromi I., Martin R., Fox D., Keith T., Al-Laham M, Peng C., Nanayakkara A., Challacombe M., Gill W.,Johnson В.,Chen W.,Wong M.,Gonzalez C.,and Pople J.,Gaussian, Inc.,Pittsburgh PA, 2003 5 . Zhang Q., Gu Y., Wang S. // J. Phys. Chem. A. 2003. V. 107. № 19. P. 3884–3890. 6 . Becerra R., Cannady J.P., Walsh R. // Silicon Chemistry. 2005. V. 3. P. 131–138. 7 . So S.P. // J. Phys. Chem. A. 2001. V. 115. № 20. P. 4988–4991. 8 . So S.P., Li W-K. // J. Phys. Chem. A. 2004. V. 108. № 18. P. 4002–4007. 9 . Bundhum A., Blowers P., Ramasami P., Schaefer H. // J. Phys. Chem. A. 2010. V. 114. № 12. P. 4210–4223. 10 . Su M.-D., Chu S.-Y. // J. Am. Chem. Soc. 1999. V. 121. № 17. P. 4229–4237. 11 . Su M.-D., Chu, S.-Y. // Tetrahedron Lett. 1999. V. 40. № 10. P. 4371–4378. 12 . Balasubramanian K., McLean A.D. // J. Chem. Phys. 1986. V. 85. № 9. P. 5117–5221. 13 . Grev R.S., Schaefer H.F., Baines K.M. // J. Am. Chem. Soc. 1990. V. 112. № 26. P. 9458–9467. 14 . Wang L., Zhang J. // J. Phys. Chem. A. 2004. V. 108. № 46. P. 10346–10353. 15 . Apeloig Y., Pauncz R., Karni M.J. // Organometalics. 2003. V. 22. № 16. P. 3250–3256. |