ИЗУЧЕНИЕ ДИФФУЗИИ ИОНОВ КИСЛОРОДА В МДМ-СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ, ПРОЯВЛЯЮЩИХ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ |
5 | |
2013 |
научная статья | 539.219.3 | ||
51-54 | стабилизированный диоксид циркония, МДМ-структура, процесс формовки, биполярное резистивное переключение, диффузия ионов и вакансий кислорода |
Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) МДМ-структур на основе стабилизированного диоксида циркония (YSZ), проявляющих резистивное переключение. В процессе измерения ВАХ исходных структур в плёнках YSZ возникали заряды, поле которых влияло на вид ВАХ и которые связывались с диффузией ионов (вакансий) кислорода. На основе анализа ВАХ выполнена оценка коэффициента диффузии этих вакансий. |
![]() |
1 . Waser R., Aono M. Nanoionics-based resistive switching memories // Nature Mater. 2007. V. 6. P. 833–840. 2 . Елисеев Н. Мемристоры и кроссбары: нанотехнологии для процессоров // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2010. № 8. C. 84–89. 3 . Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов Д.А. и др. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе плёнок GeO2 и ZrO2 // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11–15 марта 2013 г., Нижний Новгород). Т. 2. С. 412–413. 4 . Чеботин В.Н., Перфильев М.В. Электрохимия твердых электролитов. М.: Химия, 1978. 312 с. 5 . Кузьминов Ю.С., Ломонова Е.Е., Осико В.В. Тугоплавкие материалы из холодного тигля. М.: Наука, 2004. 369 с. 6 . Горшков О.Н., Грачева Т.А., Касаткин А.П. и др. Свойства стабилизированных иттрием кристаллов диоксида циркония, облученных ионами инертных газов // Высокочистые вещ-ва. 1995. № 2. С. 85. 7 . Алексеев Е.В., Горшков О.Н., Чупрунов Е.В. и др. Исследование особенностей изменения кристаллической структуры стабилизированного диоксида циркония при термохимическом восстановлении // Кристаллография. 2006. Т. 51. № 4. С. 672–675. 8 . Александров В.И., Осико В.В., Прохоров А.М., Татаринцев В.М. Получение высокотемпературных материалов методом прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере // Успехи химии. Т. XLVII. Вып. 3. С. 385–427. |