Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

АДМИТТАНС-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В ДИОДАХ P+-SI/ N-SI:ЕR

Номер журнала	2
Дата выпуска	2013

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.935
Страницы	8-11	Ключевые слова	кремний, легированный эрбием, сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия, адмиттанс-спектроскопия, глубокие уровни

Авторы

Филатов Д.О.Зимовец И.А.Мишкин В.П.Чугров И.А.Алябина Н.А.Корнаухов А.В.Кузнецов В.П.

Место работы

Филатов Д.О. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Зимовец И.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Мишкин В.П. Институт физики и химии Мордовского госуниверситета им. Н.П. Огарёва
Чугров И.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Алябина Н.А. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Корнаухов А.В. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Кузнецов В.П. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Методом адмиттанс-спектроскопии светодиодов на основе структур p +-Si/ n -Si:Er/ n +-Si, выращен- ных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, исследован спектр глубоких уровней в активных слоях Si:Er. Определены энергии ионизации, эффективные сечения захвата электронов и концентрации глубоких уровней, связанных с примесью Er.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Soref R. // Silicon. 2010. V. 2. № 1. Р. 1–14.
2 . Priolo F., Franzo G., Coffa S., Carnera A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. № 8. Р. 4443–4455.
3 . Kenyon А.J. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. № 12. P. R65–R89.
4 . Priolo F., Franz? G., Coffa S. et al. /// J. Appl. Phys. 1995. V. 78. №6. P. 3874–3883.
5 . Emtsev Jr.V.V., Poloskin D.S., Shek E.I. et al.// Mat. Sci. Eng. B. 2001. V. 81. №1–3. P. 74–76.
6 . Evans-Freeman J.H., Kan P.Y.Y., Abdelgader N. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. №7. Р. 3755–3760.
7 . Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н. и др. // ФТП. 2006. T. 40. № 7. С. 868–874.
8 . Андреев А.Ю., Андреев Б.А., Дроздов М.Н. и др. // ФТП. 1999. T. 33. № 2. С. 156–160.
9 . Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Антонов А.В. и др. // ФТП. 2002. T. 36. №2. С. 178–182.
10 . Белова О.В., Шабанов В.Н., Касаткин А.П. и др. // ФТП. 2008. T. 42. № 2. C.136–140.
11 . Филатов Д.O., Зимовец И.А., Исаков M.A. и др. // ФТП. 2011. T. 44. № 9. С. 1153–1158.
12 . Кузнецов В.П., Красильник З.Ф. // ФТП. 2010. T. 44. № 3. С. 413–417.
13 . Кузнецов В.П., Шмагин В.Б., Марычев М.О. и др. // ФТП. 2010. T. 44. №12. С. 1645–1648.
14 . Losee D.L. // Appl. Phys. Lett. 1972. V. 21. № 2.P. 54–56.
15 . Lang D.V. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. № 7.P. 3023–3032.
16 . Libertino S., Coffa S., Franz? G., Priolo F. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. № 6. P. 3867–3873.
17 . Cavallini A., Fraboni B., Pizzini S. // Appl. Phys.