Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ HFO2/SI МЕТОДОМ КОМБИНИРОВАННОЙ СТМ/АСМ

Номер журнала	2
Дата выпуска	2013

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.935
Страницы	17-21	Ключевые слова	резистивное переключение, диоксид гафния, туннельная АСМ, миграция вакансий кислорода

Авторы

Антонов Д.А.Филатов Д.О.Горшков О.Н.Дудин А.Ю.Шарапов А.Н.Зенкевич А.В.Матвеев Ю.А.

Место работы

Антонов Д.А. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Филатов Д.О. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Горшков О.Н. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Дудин А.Ю. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Шарапов А.Н. НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Зенкевич А.В. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва
Матвеев Ю.А. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва

Аннотация

Методом туннельной атомно-силовой микроскопии (АСМ) в сверхвысоком вакууме (СВВ) изучены процессы резистивного переключения в сверхтонких (? 4 нм) плёнках HfO2/Si, подвергнутых отжигу в СВВ. Экспериментально продемонстрирована возможность локальной обратимой модификации элек- тропроводности плёнки HfO2 путём приложения разности электрических потенциалов между прово- дящим АСМ-зондом и Si-подложкой. Вольт-амперные характеристики структуры АСМ-зонд/HfO2/Si демонстрируют выраженный гистерезис биполярного типа, связанный с дрейфом вакансий кислорода, сгенерированных в процессе отжига в СВВ, в электрическом поле между АСМ-зондом и подложкой.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Szot K., Dittmann R., Speier W., Waser R. // Phys. Status Solidi (RRL). 2007. V. 1. № 2. P. R86–R88.
2 . Waser R., Aono M. // Nature Mater. 2007. V. 6. № 11. Р. 833–840.
3 . Kim D.C., Seo S., Ahn S.E., et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. № 20. Р. 202102–202104.
4 . Lee D., Choi H., Sim H., et al. // IEEE Electron Device Lett. 2005. V. 26. № 10. Р.719–721.
5 . Choi B.J., Jeong D.S., Kim S.K. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. № 3. Р.033715–033717.
6 . Sakamoto T., Lister K., Banno N. et al. // Appl.
7 . Phys. Lett. 2007. V. 91. № 9. Р. 092110–092112.
8 . Yoshida C., Kinoshita K., Yamasaki T., Sugiyama Y. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. № 4. Р. 042106–042108.
9 . Lee M.H., Song S.J., Kim K.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. № 6. Р. 062909–062911.
10 . Howald L., Meyer E., L?thi R. et al. // Appl.
11 . Phys. Lett. 1993. V. 63. № l. Р. 117–119.
12 . Defects in High-k Gate Dielectric Stacks. NATO Science Series II. Mathematics, Physics and Chemistry.V. 220 / Ed. E. Gusev. Berlin–Heidelberg: Springer, 2006. 503 p.
13 . Лапшина М.А., Филатов Д.О., Антонов Д.А. // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и ней- тронные исследования. 2008. № 8. C. 71.
14 . Sawa A. // Mater. Today. 2008. V. 11. № 6. Р. 28–36.
15 . Ouyang J. I.Y., Chu C.W., Szmanda C.R. et al. // Nature Mater. 2004. V. 3. № 12. Р. 918–922.