Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ GAAS

Номер журнала	2
Дата выпуска	2013

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.935
Страницы	22-27	Ключевые слова	нитевидные нанокристаллы, GaAs, фотопроводимость, поверхностная рекомбинация

Авторы

Алексеев П.А.Дунаевский М.С.Марычев М.О.Нежданов А.В.Lepsa M.Gr?tzmacher D.Титков А.Н.

Место работы

Алексеев П.А. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Дунаевский М.С. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Марычев М.О. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Нежданов А.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Lepsa M. Peter Gr?nberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum J?lich GmbH
Gr?tzmacher D. Peter Gr?nberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum J?lich GmbH
Титков А.Н. Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

Аннотация

Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) индивидуальных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs на подложках SiO2/Si, а также зависимость ФП ННК от интенсивности фотовозбуждения и влияние на спектры ФП заращивания ННК слоем SiOx. Показано, что ФП ННК из сильнолегированного GaAs имеет барьерную природу, тогда как ФП ННК, обеднённых носителями заряда, определяется скоростью поверх- ностной рекомбинации. Обнаружен эффект модуляции проводимости ННК поверхностной фотоЭДС в под- ложке SiO2/Si при фотовозбуждении в области собственного поглощения Si.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Huang Y., Duan X., Cui Y. et al. // Science. 2001.
2 . Duan X., Huang Y., Cui Y. et al. // Nature. 2001. V. 409. № 1. P. 66–69.
3 . Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 10. С. 1256–1260.
4 . Сибирев Н.В., Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. № 11. С. 1286–1290.
5 . Dayeh S. A., Soci C., Bao X.–Y., Wang D. // Nano Today. 2009. V. 4. № 2–3. P. 347–358.
6 . Xiang J., Lu W., Hu Y., et al. // Nature. 2006. V. 441. № 3. P. 489–493.
7 . Stern E., Klemic J.F., Routenberg D.A. et al. // Nature. 2007. V. 445. № 2. Р. 519–521.
8 . Klauk Н. // Nature. 2008. V. 451. № 5. Р. 533–535.
9 . Novotny C.J., Yu E.T., Yu P.K.L. // Nano Letters. 2008. V. 8. № 3. P. 775–779.
10 . Huang M.H., Mao S., Feick H. et al. // Science. 2001. V. 292. № 23. P. 1897–1899.
11 . Duan X., Huang Y., Agarwal R., Lieber C.M. // Nature. 2003. V. 421. № 1. P. 17–21.
12 . Demichel O., Heiss M., Bleuse J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. № 20. P. 201907–201909.
13 . Li Q.H., Gao T., Wang Y.G., Wang T.H. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. P. 123117–123119.
14 . Park S.H., Kim S.–H., Han S.–W. // Nanotech- nology. 2007. V. 18. № 5. Р. 055608–055613.
15 . Minot E.D., Kelkensberg F., van Kouwen M. et al. // Nano Letters. 2007. V. 7. № 2. Р. 367–371.
16 . Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. № 11. С. 2164–2169.
17 . Simpkins B.S., Mastro M.A., Eddy C.R. Jr., Pehrsson P.E. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. № 10. P. 104313–104318.
18 . Карпович И.А., Степихова М.В. // ФТП. 1998. Т. 32. № 2. С. 182–186.
19 . New semiconductor materials. Сharacteristics and properties. Electronic archive / ФТИ РАН им. А.Ф. Иоффе. СПб. [Электронный ресурс]. URL: http://matprop.ru/GaAs (дата обращения 01.10.2012).
20 . Lin A., Shapiro J.N., Senanayake P.N. et al. // Nanotechnology. 2012. V. 23. № 10. Р. 105701–105705.
21 . Cao L., White J.S., Park J.–S. et al. // Nature Ma- terials. 2009. V. 8. № 3. P. 643–647.
22 . Chang P.–C., Fan Z., Chien C.–J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. № 13. Р. 133113–133115.