Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

МОРФОЛОГИЯ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ НАНООСТРОВКОВ GESI/SI(001), ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ГОРЯЧЕЙ ПРОВОЛОКИ

Номер журнала	2
Дата выпуска	2013

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.950
Страницы	28-33	Ключевые слова	самоформирующиеся наноостровки GeSi, молекулярно-лучевая эпитаксия, метод горячей проволоки, морфология, фотолюминесценция

Авторы

Шенгуров В.Г.Чалков В.Ю.Денисов С.А.Филатов Д.О.Круглов А.В.Степихова М.В.Спирин Д.Е.

Место работы

Шенгуров В.Г. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Чалков В.Ю. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Денисов С.А. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Филатов Д.О. Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Круглов А.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Степихова М.В. Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород
Спирин Д.Е. Воронежский госуниверситет

Аннотация

Впервые исследованы морфология и спектры фотолюминесценции (ФЛ) самоформирующихся на- ноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом горячей проволоки. Полученные зависимости разме- ров и плотности наноостровков от температуры подложки и количества осаждённого Ge соответству- ют установленным ранее для наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Однако во всём исследованном диапазоне температур роста (500 ? 700?С) наблюдалась тенденция к коалесценции островков, связанная с наличием в ростовой камере GeH4 во время осажде- ния Ge, что увеличивает скорость поверхностной диффузии адатомов Ge и тем самым способствует коалесценции островков. В спектрах ФЛ (77 К) доминируют линии, связанные с дислокациями несоот- ветствия в коалесцированных островках.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Pavesi L. // J. Phys.: Cond. Matter. 2003. V. 15. № 26. Р. R1169– R1196.
2 . Shiraki Y., Sakai A. // Surf. Sci. R. 2005. V. 59. № 7–8. P. 153–207.
3 . Красильник З.Ф., Новиков А.В. // УФН. 2000. Т. 170. № 3. С. 338–341.
4 . Abstreiter G., Schittenhelm P., Engel C. et al. // Se- micond. Sci. Technol. 1996. V. 11. № 11S. P. 1521–1528.
5 . Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуречен- ский А.В. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. № 11. С. 1281–1299.
6 . Berbezier I., Ronda A. // Surf. Sci. R. 2009. V. 64. № 1. P. 47–98.
7 . Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 4. С. 385–410.
8 . Mukherjee C., Seitz H., Schroder B. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. № 22. Р. 3457–3459.
9 . Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А. и др. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2008. Т. 72. № 2. С. 267–270.
10 . Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. № 11. С. 1116–1121.
11 . Светлов С.П., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. и др. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2001. Т. 65. № 2. С. 204–207.
12 . Орлов Л.К., Потапов А.В., Ивин С.В. // ЖТФ. 2000. Т. 70. № 6. С. 102–107.
13 . Kveder V., Badylevich M., Steinman E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. № 12. P. 2106–2108.
14 . Liao X.Z., Zou J., Cockayne D.J.H. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. № 23. P. 15605–15608.