ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ДИССИПАТИВНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ КВАНТОВОЙ МОЛЕКУЛЫ С РЕЗОНАНСНЫМ U-СОСТОЯНИЕМ2 D? -ЦЕНТРА |
2 | |
2013 |
научная статья | 535.8; 537.9; 539.23 | ||
58-65 | квантовая молекула, вероятность фотолюминесценции, внешнее электрическое поле, диссипативное туннелирование |
В модели потенциала нулевого радиуса исследовано влияние внешнего электрического поля на фо- толюминесценцию квантовой молекулы, связанную с излучательным переходом электрона с резонанс-ного u -состояния на g -терм2D? -центра при наличии диссипативного туннелирования. Показано, чтовероятность фотолюминесценции возрастает примерно на два порядка при напряженности внешнего электрического поля, для которой исходно асимметричный двухъямный осцилляторный потенциал, моделирующий квантовую молекулу, становится симметричным. Выявлена высокая чувствительность вероятности фотолюминесценции к таким параметрам диссипативного туннелирования, как темпера- тура, частота фононной моды и константа взаимодействия с контактной средой. |
1 . Алёшкин В.Я., Гавриленко Л.В., Одноблюдов М.А., Яссиевич И.Н. Примесные резонансные со- стояния в полупроводниках. Обзор // Физика и тех- ника полупроводников. 2008. Т. 42. № 8. С. 899–922. 2 . Гуринович Л.И., Лютин А.А., Ступак А.П. и др. Влияние электрического поля на фотолюминесцен- цию нанокристаллов селенида кадмия//Журн. при- кладной спектроскопии. 2010. Т. 77. № 1. С. 129–135. 3 . Бейтмен Г., Эрдейи А. Высшие трансцендентные функции. Т. 1, 2. М.: Наука, 1973. |