РЀСЧЕС ЎДЍЎРЎДЍЎССР? СЎЛЩР?РЌ РРЏР?РЎРЂРЉРЎР?ЀЛЬЍЫХ СЛЎЕВ, ЏЎЛУЧЕЍЍЫХ ЌЕСЎДЎЌ ЌЎЛЕЊУЛЯРЍЎ-ЛУЧЕВЎЙ РРЏР?РЎРЂРЉРЎР?Р? Р?Р— СУБЛР?РЊРЂР¦Р?ЎЍЍЎГЎ Р?ССЎЧЍР?РЉРЂ |
| Р¤Р?Р—Р?РљРђ ТВЁРДОГО ТЕЛА |
| научная статья | 538.9 | ||
| 72-74 | молекулярно-лучевая эпитаксия, сублимационный источник, численные методы, однородность по толщине эпитаксиальных слоев кремния |
| Проведены модельные расчеты распределения значений толщины эпитаксиального слоя по площади подложки для молекулярного пучка, формируемого в вакууме сублимационным источником. Полученные расчетные данные достаточно хорошо согласуются с экспериментом для молекулярно-лучевой эпитаксии кремния. |
 |
| 1 . Молекулярно-лучевая эпитаксия Рё гетеро-структуры / РџРѕРґ ред. Р›. Ченга, Рљ. Плога. Рњ.: РњРёСЂ, 1989. 580 СЃ. 2 . Алферов Р–.Р?., Асеев Рђ.Р›., Гапонов РЎ.Р’. Рё РґСЂ. // Нано- Рё микросистемная техника. 2003. в„– 8. РЎ. 3-15. 3 . Болховитянов Р®.Р‘., Гутаковский Рђ.Рљ., Дерябин Рђ.РЎ., Соколов Р›.Р’. // ФТТ. 2008. Рў. 50. РЎ. 1783-1786. 4 . Денисов РЎ.Рђ., Шенгуров Р’.Р“., Светлов РЎ.Рџ. Рё РґСЂ. // Вестник ННГУ. 2009. в„– 2. РЎ. 49-54. 5 . Шенгуров Р’.Р“., Чалков Р’.Р®., Денисов РЎ.Рђ. Рё РґСЂ. // Вакуумная техника Рё технология. 2011. Рў. 21. в„– 1. РЎ. 45-48. 6 . Венцель Р•.РЎ., Овчаров Р’.Рђ. Теория вероятностей Рё ее инженерные приложения. Рњ.: Высшая школа, 2000. 480 СЃ. |