Главная страница
russian   english
<< назад

Название статьи

ОПТИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ОТОЖЖЕННЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СИСТЕМ GE/SIO 2, СОДЕРЖАЩИХ НАНОКРИСТАЛЛЫ ГЕРМАНИЯ


Номер журнала
1
Дата выпуска
2014

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.216.2 + 539.23 + 535.37
Страницы
59-63
Ключевые слова
нанокристаллы германия, многослойные нанопериодические системы, высокотемпературный отжиг

Авторы
Грачев Д.А.
Ершов А.В.
Суровегина Е.А.
Нежданов А.В.
Пирогов А.В.
Павлов Д.А.

Место работы
Грачев Д.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Ершов А.В.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Суровегина Е.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Нежданов А.В.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Пирогов А.В.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Павлов Д.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Методом электронно-лучевого испарения из раздельных источников осаждены многослойные нанопериодические системы a -Ge/SiO 2. Методами электронной микроскопии установлен фазовый переход a -Ge-слоев в слои с массивом нанокристаллов (НК) Ge под действием отжига. По спектрам ИК-пропускания, комбинационного рассеяния света установлены температуры образования НК 600-900?С. Обнаружена полоса люминесценции при комнатной температуре в диапазоне 450-600 нм.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Khriachtchev L. Silicon nanophotonics. Basic Principles, Present Status and Perspectives. World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2009. 470 p.
2 . Wang M., Anopchenko A., Marconi A., et al. // Physica E. 2009. V.41. P. 912-915.
3 . Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. и др. // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. В. 4. С. 460-465.
4 . Lockwood D.J., Lu Z.H., Baribeau J.-M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V.76. P. 539-541.
5 . Горелик С.С. Рентгенографический и электронографический анализ металлов. Справочно-расчетные таблицы и типовые рентгенограммы. М.: Гос. науч.-техн. изд-во лит. по черн. и цв. металлургии, 1963. 92 c.
6 . Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. В. 1. С. 44-48.
7 . Kartopua G., Baylissa S.C., Karavanskii V.A. // J. of Luminescence. 2003. V. 101. P. 275-283.
8 . Das S., Aluguri R., Manna S., et al. // Nanoscale Research Lett. 2012. V.7. P.143.
9 . Zhang B., Shrestha S., Aliberti P., et al. // Proc. of SPIE. 2009. V. 7411. P. 741103-1.
10 . Mestanza S.N.M., Doi I., Swart J.W., Frateschi N.C. // J. of Materials Science. 2007. V. 42. I. 18. P. 7757-7761.