ОПТИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ОТОЖЖЕННЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОПЕРИОДИЧЕСКИХ СИСТЕМ GE/SIO 2, СОДЕРЖАЩИХ НАНОКРИСТАЛЛЫ ГЕРМАНИЯ |
| 1 | |
| 2014 |
| научная статья | 539.216.2 + 539.23 + 535.37 | ||
| 59-63 | нанокристаллы германия, многослойные нанопериодические системы, высокотемпературный отжиг |
| Методом электронно-лучевого испарения из раздельных источников осаждены многослойные нанопериодические системы a -Ge/SiO
2. Методами электронной микроскопии установлен фазовый переход a -Ge-слоев в слои с массивом нанокристаллов (НК) Ge под действием отжига. По спектрам ИК-пропускания, комбинационного рассеяния света установлены температуры образования НК 600-900?С. Обнаружена полоса люминесценции при комнатной температуре в диапазоне 450-600 нм. |
 |
| 1 . Khriachtchev L. Silicon nanophotonics. Basic Principles, Present Status and Perspectives. World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2009. 470 p. 2 . Wang M., Anopchenko A., Marconi A., et al. // Physica E. 2009. V.41. P. 912-915. 3 . Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. и др. // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. В. 4. С. 460-465. 4 . Lockwood D.J., Lu Z.H., Baribeau J.-M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V.76. P. 539-541. 5 . Горелик С.С. Рентгенографический и электронографический анализ металлов. Справочно-расчетные таблицы и типовые рентгенограммы. М.: Гос. науч.-техн. изд-во лит. по черн. и цв. металлургии, 1963. 92 c. 6 . Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. В. 1. С. 44-48. 7 . Kartopua G., Baylissa S.C., Karavanskii V.A. // J. of Luminescence. 2003. V. 101. P. 275-283. 8 . Das S., Aluguri R., Manna S., et al. // Nanoscale Research Lett. 2012. V.7. P.143. 9 . Zhang B., Shrestha S., Aliberti P., et al. // Proc. of SPIE. 2009. V. 7411. P. 741103-1. 10 . Mestanza S.N.M., Doi I., Swart J.W., Frateschi N.C. // J. of Materials Science. 2007. V. 42. I. 18. P. 7757-7761. |