МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КВАНТОВОГО КОМПЬЮТЕРА И СИСТЕМЫ КВАНТОВОЙ КРИПТОГРАФИИ |
| 1 | |
| 2014 |
| научная статья | 539.21 | ||
| 64-73 | квантовый компьютер, квантовая криптография, радиационная стойкость, квантовая точка, поток нейтронов |
| Выполнены оценки радиационной стойкости квантового компьютера и системы квантовой криптографии. Расчеты показали, что использование многомерного массива квантовых точек в полупроводниковых элементах системы квантовой криптографии повышает её радиационную стойкость |
 |
| 1 . Muller A., Herzog T., Tittel W.“Plug and Play”systems for quantum cryptography // Appl. Phys. Lett. 1997. 70. 2 . Bennett C. H. // Phys. Rev. Lett. 1992. 68. Р. 3121. 3 . Zhigov Y. Quantum computers speed up classical with probability zero // Chaos Solitons and Fractals. 1999. 10. 4 . Нильсен М., Чанг И. Квантовые вычисления и квантовая информация: Пер. с англ. М.: Мир, 2006. 5 . Robert H. Hadfield single-photon detectors for optical quantum information applications // Nature Photonics. 2009. 6 . Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. и др. Действие проникающей радиации на электронные изделия. Сов. радио, 1980. 7 . Новиков А.В., Яблонский А.Н., Платонов В.В. и др. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001) // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 3. 8 . Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., et al. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. 2011. V. 26. № 1. Р. 014029. 9 . Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Lobanov D.N., et al. Сomparative analysis of radiation effects on the electroluminescence of Si and SiGe/Si(001) heterostructures with self-assembled islands // Semiconductors. 2011. V. 45. № 2. P. 225-229. 10 . Иванова М.М., Качемцев А.Н., Ткачев О.В., Шукайло В.П. Исследование влияния облучения на изменение концентрации неравновесных носителей заряда в базе кремниевого pin-диода с квантоворазмерными включениями германия // Конференция по физике полупроводников МФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2013. 11 . Shmagin V.B., Kudryavtsev K.E., Kozlov V.A., et al. Electrical and luminescence properties of silicon-based tunnel transit-time light-emitting diodes p+/n+/n-Si:Er // Semiconductors. 2010. V. 44. № 11. P. 1486-1491. 12 . Киселева Е.В., Оболенский С.В. Топология кластеров радиационных дефектов в GaAs полевых транзисторах Шоттки // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 5. С. 374-381. 13 . Kitaev M.A., Kiseleva E.V., Obolenskii S.V. et al. Quantum-aperture formation in a quasi-ballistic MESFET by neutron irradiation // Russian Microelectronics. 2005. V. 34. № 6. P. 359-364. 14 . Kiseleva E.V., Obolensky S.V., Kitaev M.A., et al. Stability of quasi-ballistic MESFETS with various buffer layer structures under irradiation with neutrons possessing different energy spectra // Technical Physics Letters. 2005. V. 31. № 10. P. 881-884. 15 . Murel A.V., Obolenskii S.V., Fefelov A.G., Kiseleva E.V. Resistance of proton-irradiated GaAs photodetectors to combined gamma and neutron radiation // Semiconductors. 2004. V. 38. № 7. P. 800-806. 16 . Оболенский C.В. Сравнение структуры кластеров радиационных дефектов в полупроводниковых материалах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2003. № 7. С. 53-56. 17 . Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 1.С. 134-139. 18 . Obolensky S.V. Effect of radiation-induced defect clusters on current flow through a quasi-ballistic GaAs MESFET // Russian Microelectronics. 2004. V. 33. № 2. P. 120-125. 19 . Оболенский С.В. Исследование процессов дальнодействующего геттерирования при ионном и лазерном облучении транзисторных структур // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С. 148-152. 20 . Obolensky S.V., Skupov V.D. Peculiarities of the long-range effects in GaAs-based transistor structures upon combined irradiation with ions of various masses // Technical Physics Letters. 2003. V. 29. № 1. P. 54-56. 21 . Obolenskii S.V., Skupov V.D. Long-range action effect in irradiation of semiconductor structures with internal interfaces // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2001. V. 16. № 5. Р. 833-840. 22 . Leon R., Swift G.M., Magness B., et al. Changes in luminescence emission induced by proton irradiaton: InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots // Apply Physic Letter. 2000. 76. P. 2074. 23 . Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с. 24 . Киселева Е.В., Оболенский С.В. Внутренняя структура кластера радиационных дефектов при нейтронном облучении GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Физика твердого тела. 2003. № 1. С. 20-25. 25 . Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В., Мурель А.В. Исследование характеристик встречно-штыревых GaAs-структур при комбинированном протонном, гамма- и нейтронном облучении // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Физика твердого тела. 2003. № 1. С. 96-104. 26 . Валиев К.А. Квантовые компьютеры: можно ли их сделать «большими»? // Успехи физических наук. 1999. 169. С. 691. 27 . Новые полупроводниковые материалы. Наноструктуры. Биологические системы. Характеристики и свойства. http://www.matprop.ru/ 28 . Матвеев В.Н. Атомная физика: Учебное пособие для студентов вузов. М.: Высш. шк., 1989. 439 с. |