Главная страница
russian   english
<< назад

Название статьи

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КВАНТОВОГО КОМПЬЮТЕРА И СИСТЕМЫ КВАНТОВОЙ КРИПТОГРАФИИ


Номер журнала
1
Дата выпуска
2014

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.21
Страницы
64-73
Ключевые слова
квантовый компьютер, квантовая криптография, радиационная стойкость, квантовая точка, поток нейтронов

Авторы
Забавичев И.Ю.
Потехин А.А.

Место работы
Забавичев И.Ю.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Потехин А.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Выполнены оценки радиационной стойкости квантового компьютера и системы квантовой криптографии. Расчеты показали, что использование многомерного массива квантовых точек в полупроводниковых элементах системы квантовой криптографии повышает её радиационную стойкость

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Muller A., Herzog T., Tittel W.“Plug and Play”systems for quantum cryptography // Appl. Phys. Lett. 1997. 70.
2 . Bennett C. H. // Phys. Rev. Lett. 1992. 68. Р. 3121.
3 . Zhigov Y. Quantum computers speed up classical with probability zero // Chaos Solitons and Fractals. 1999. 10.
4 . Нильсен М., Чанг И. Квантовые вычисления и квантовая информация: Пер. с англ. М.: Мир, 2006.
5 . Robert H. Hadfield single-photon detectors for optical quantum information applications // Nature Photonics. 2009.
6 . Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. и др. Действие проникающей радиации на электронные изделия. Сов. радио, 1980.
7 . Новиков А.В., Яблонский А.Н., Платонов В.В. и др. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001) // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 3.
8 . Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., et al. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. 2011. V. 26. № 1. Р. 014029.
9 . Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Lobanov D.N., et al. Сomparative analysis of radiation effects on the electroluminescence of Si and SiGe/Si(001) heterostructures with self-assembled islands // Semiconductors. 2011. V. 45. № 2. P. 225-229.
10 . Иванова М.М., Качемцев А.Н., Ткачев О.В., Шукайло В.П. Исследование влияния облучения на изменение концентрации неравновесных носителей заряда в базе кремниевого pin-диода с квантоворазмерными включениями германия // Конференция по физике полупроводников МФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2013.
11 . Shmagin V.B., Kudryavtsev K.E., Kozlov V.A., et al. Electrical and luminescence properties of silicon-based tunnel transit-time light-emitting diodes p+/n+/n-Si:Er // Semiconductors. 2010. V. 44. № 11. P. 1486-1491.
12 . Киселева Е.В., Оболенский С.В. Топология кластеров радиационных дефектов в GaAs полевых транзисторах Шоттки // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 5. С. 374-381.
13 . Kitaev M.A., Kiseleva E.V., Obolenskii S.V. et al. Quantum-aperture formation in a quasi-ballistic MESFET by neutron irradiation // Russian Microelectronics. 2005. V. 34. № 6. P. 359-364.
14 . Kiseleva E.V., Obolensky S.V., Kitaev M.A., et al. Stability of quasi-ballistic MESFETS with various buffer layer structures under irradiation with neutrons possessing different energy spectra // Technical Physics Letters. 2005. V. 31. № 10. P. 881-884.
15 . Murel A.V., Obolenskii S.V., Fefelov A.G., Kiseleva E.V. Resistance of proton-irradiated GaAs photodetectors to combined gamma and neutron radiation // Semiconductors. 2004. V. 38. № 7. P. 800-806.
16 . Оболенский C.В. Сравнение структуры кластеров радиационных дефектов в полупроводниковых материалах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2003. № 7. С. 53-56.
17 . Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 1.С. 134-139.
18 . Obolensky S.V. Effect of radiation-induced defect clusters on current flow through a quasi-ballistic GaAs MESFET // Russian Microelectronics. 2004. V. 33. № 2. P. 120-125.
19 . Оболенский С.В. Исследование процессов дальнодействующего геттерирования при ионном и лазерном облучении транзисторных структур // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 2. С. 148-152.
20 . Obolensky S.V., Skupov V.D. Peculiarities of the long-range effects in GaAs-based transistor structures upon combined irradiation with ions of various masses // Technical Physics Letters. 2003. V. 29. № 1. P. 54-56.
21 . Obolenskii S.V., Skupov V.D. Long-range action effect in irradiation of semiconductor structures with internal interfaces // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2001. V. 16. № 5. Р. 833-840.
22 . Leon R., Swift G.M., Magness B., et al. Changes in luminescence emission induced by proton irradiaton: InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots // Apply Physic Letter. 2000. 76. P. 2074.
23 . Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с.
24 . Киселева Е.В., Оболенский С.В. Внутренняя структура кластера радиационных дефектов при нейтронном облучении GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Физика твердого тела. 2003. № 1. С. 20-25.
25 . Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В., Мурель А.В. Исследование характеристик встречно-штыревых GaAs-структур при комбинированном протонном, гамма- и нейтронном облучении // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Физика твердого тела. 2003. № 1. С. 96-104.
26 . Валиев К.А. Квантовые компьютеры: можно ли их сделать «большими»? // Успехи физических наук. 1999. 169. С. 691.
27 . Новые полупроводниковые материалы. Наноструктуры. Биологические системы. Характеристики и свойства. http://www.matprop.ru/
28 . Матвеев В.Н. Атомная физика: Учебное пособие для студентов вузов. М.: Высш. шк., 1989. 439 с.