Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ВЛИЯНИЯ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В МАТРИЦЕ SIO 2

Номер журнала	1
Дата выпуска	2014

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	537.9 + 535.37
Страницы	74-79	Ключевые слова	нанокристаллы кремния, диоксид кремния, фотолюминесценция, ионное облучение, дефектообразование

Авторы

Королёв Д.С.Михайлов А.Н.Белов А.И.Костюк А.Б.Карзанова М.В.Ершов А.В.Демидов Е.С.Тетельбаум Д.И.

Место работы

Королёв Д.С. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Михайлов А.Н. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Белов А.И. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Костюк А.Б. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Карзанова М.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Ершов А.В. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Демидов Е.С. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Тетельбаум Д.И. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Исследовано влияние ионного облучения на люминесцентные свойства нанокристаллов кремния в матрице SiO 2, полученных ионной имплантацией Si

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Sa’ar A. // J. Nanophotonics. 2009. Vol. 3. P. 032501.
2 . Pavesi L. Routes toward silicon-based lasers // Materials Today. 2005. Vol. 8. № 1. P.18-25.
3 . Optical Interconnects. The Silicon Approach / L. Pavesi, G. Guillot (Eds.). Springer-Verlag, 2006. 389 p.
4 . Green M.A. Third generation photovoltaics. Berlin, Heidelberg: Springer, 2006. 160 p.
5 . Ray S.K., Maikap S., Banerjee W., Das S. // J. Phys. D: Appl. Plys. 2013. Vol. 46. P.153001.
6 . Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications / L. Pavesi, R. Turan (Eds.). Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2010. 613 p.
7 . Silicon Nanophotonics / L. Khriachtchev (Ed.). Singapore: World Scientific Publishing, 2009. 452 p.
8 . Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures / N. Koshida (Ed.). NY: Springer, 2009. 344 p.
9 . Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Burdov V.A. et al. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2008. Vol. 8. P. 780-788.
10 . Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С. и др. // Известия РАН. Серия физическая. 2012. Т. 76. № 2. С. 244-248.
11 . Качурин Г.А., Яновская С.Г., Ruault M.-O. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. № 8. С. 1004-1009.
12 . Pacifici D., Franzo G., Iacona F., Priolo F. // Physica E. 2003. Vol. 16. P. 404-409.
13 . Heinig K.H., Muller T., Schmidt B. et al. // Appl. Phys. A. 2003. Vol. 77. P. 17-25.
14 . Backman M., Djurabekova F., Pakarinen O.H. et al. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 144109.
15 . Оксенгендлер Б.Л., Тураева Н.Н., Максимов С.Е., Джурабекова Ф.Г. // ЖЭТФ. 2010. Т. 138. № 3(9). С. 469-475.
16 . Качурин Г.А., Черкова С.Г., Марин Д.В. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. № 9. С. 1145-1149.
17 . Демидова Н.Е. Дис. … канд. физ.-мат. наук. Н. Новгород: ННГУ, 2010. 143 с.
18 . Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. и др. // ФТТ. 2012. Т. 54. № 2. С. 347-359.
19 . The Stopping and Range of Ions in Matter / Ziegler J.F. - Режим доступа: http://www.srim.org, свободный.
20 . Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 12. С. 1613-1618.