Главная страница
russian   english
<< назад

Название статьи

ПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SI/SIGE, ВЫРАЩЕННЫЕ НА SI(100) ИЗ АТОМАРНОГО ПОТОКА SI И МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОТОКА МОНОГЕРМАНА


Номер журнала
1
Дата выпуска
2014

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
533.376
Страницы
84-87
Ключевые слова
полупроводники, кремний-германий, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка, периодические гетероструктуры

Авторы
Матвеев С.А.
Денисов С.А.
Чалков В.Ю.
Шенгуров В.Г.
Степихова М.В.
Дроздов М.Н.
Юнин П.А.
Захаров Н.Д.

Место работы
Матвеев С.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Денисов С.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Чалков В.Ю.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Шенгуров В.Г.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Степихова М.В.
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород

Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород

Юнин П.А.
Институт физики микроструктур РАН, Н. Новгород

Захаров Н.Д.
Max-Planck-Institut f?r Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany


Аннотация
Комбинированным методом гетероэпитаксии из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH 4 на подложках Si(100) выращены периодические гетероструктуры Si/SiGe. Структуры исследовались методами рентгеновской дифракции, вторично-ионной масс-спектрометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Полученные данные свидетельствуют о высоком структурном совершенстве структур, резких границах раздела между слоями, повторяемости толщин и состава слоев в периодических структурах.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Rupp T., Messarosh I., Eisele U. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 183. P. 99.
2 . Cullis A.G., Booker G.R. // J. Cryst. Growth. 1971. V. 9. P. 132-138.
3 . Ota Y. // Thin Solid State. 1983. V. 106. P. 3.
4 . Hirayama H., Hiroi K., Tatsumi T. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 105. P. 46.
5 . Chen L.P., Chou C.T., Huang G.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. № 20. P. 3001-3003.
6 . Thomson P.E., Silvestre C., Twigg M. et al. // Thin Sold Films. 1998. № 321. P. 120-124.