ПЕРИОДИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SI/SIGE, ВЫРАЩЕННЫЕ НА SI(100) ИЗ АТОМАРНОГО ПОТОКА SI И МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОТОКА МОНОГЕРМАНА |
| 1 | |
| 2014 |
| научная статья | 533.376 | ||
| 84-87 | полупроводники, кремний-германий, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка, периодические гетероструктуры |
| Комбинированным методом гетероэпитаксии из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH
4 на подложках Si(100) выращены периодические гетероструктуры Si/SiGe. Структуры исследовались методами рентгеновской дифракции, вторично-ионной масс-спектрометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Полученные данные свидетельствуют о высоком структурном совершенстве структур, резких границах раздела между слоями, повторяемости толщин и состава слоев в периодических структурах. |
 |
| 1 . Rupp T., Messarosh I., Eisele U. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 183. P. 99. 2 . Cullis A.G., Booker G.R. // J. Cryst. Growth. 1971. V. 9. P. 132-138. 3 . Ota Y. // Thin Solid State. 1983. V. 106. P. 3. 4 . Hirayama H., Hiroi K., Tatsumi T. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 105. P. 46. 5 . Chen L.P., Chou C.T., Huang G.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. № 20. P. 3001-3003. 6 . Thomson P.E., Silvestre C., Twigg M. et al. // Thin Sold Films. 1998. № 321. P. 120-124. |