АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗОГРЕВА ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В ТОНКОЙ БАЗЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ GE, SI И GAAS ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СТАЦИОНАРНОГО ПОТОКА КВАНТОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ |
| 1 | |
| 2014 |
| научная статья | 621.382.33 | ||
| 88-93 | биполярный транзистор с тонкой базой, баллистический перенос носителей заряда, разогрев электронно-дырочного газа, ионизирующее излучение |
| Предложена аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий. Теоретически показано, что зависимость средней энергии электронного газа на границе пространственного заряда коллекторного перехода и нейтральной области тонкой базы от ее толщины носит как монотонный, так и немонотонный характер, однозначно определяемый сочетанием величин приложенного напряжения к эмиттерному переходу транзистора и темпа генерации горячих радиационно-генерированных носителей заряда. |
 |
| 1 . Киселев В.К., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Аналитическая модель деградации характеристик кремниевых биполярных транзисторов с тонкой базой при воздействии дефектообразующих излучений // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2013. № 2(1). С. 56-59. 2 . Тарасова Е.А., Демидова Д.С., Оболенский С.В. и др. Моделирование мощных НЕМТ при облучении квантами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 12. С. 1587-1592. 3 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Применение квазигидродинамического приближения для решения задачи переноса заряда в кремниевых наноструктурах при повышенных температурах // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2011. № 2(1). С. 62-70. 4 . Пузанов А.С., Оболенский С.В., Петров С.Г. Особенности ударной ионизации в полупроводниковых приборах с субмикронными областями пространственного заряда при воздействии потока квантов высоких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2011. № 2. С.10-13. 5 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности стимулированного излучением пробоя p-n-перехода с неоднородным легированием // Микроэлектроника. 2009. Т. 38, № 1. С. 64-74. 6 . Shockley W. The theory of p-n junction in semiconductors and p-n junction transistors // Bell System Technical Journal. 1949. V. 28, № 7. P. 435-489. 7 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в кремниевых биполярных транзисторах с тонкой базой при воздействии импульсного фотонного излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2012. № 4. С. 5-8. 8 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированного разогрева электронного газа на развитие лавинного пробоя в транзисторных структурах // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2010. № 3. С. 46-50. 9 . Оболенский С.В. Предел применимости локально-полевого и квазигидродинамического приближений при расчетно-экспериментальной оценке радиационной стойкости субмикронных полупроводниковых приборов // Известия вузов. Электроника. 2002. № 6. С. 31-38. 10 . Hansen O. Diffusion in a short base // Solid-State Electronics. 1994. V. 37, № 9. P. 1663-1669. 11 . Пузанов А.С., Оболенский С.В. Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. 2012. Т. 41, № 4. С. 304-312. 12 . Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с. 13 . Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2. М.: Мир, 1984. 456 с. |