Главная страница
russian   english
<< назад

Название статьи

МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ GE/SI


Номер журнала
1
Дата выпуска
2014

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
538.91
Страницы
116-121
Ключевые слова
моделирование, механические напряжения, гетероструктуры

Авторы
Шиляев П.А.
Белоножкин П.А.
Алешин А.Е.

Место работы
Шиляев П.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Белоножкин П.А.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Алешин А.Е.
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Методами молекулярной динамики моделируются поля упругих напряжений в структурах с одной и двумя квантовыми точками Si x Ge 1- x в матрице кремния. Обнаружены периодически изменяющиеся напряжения по контуру квантовых точек и несимметричное распределение напряжений.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Grimmeiss H.G. Silicon-germanium - a promise into the future // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. С. 1032-1034.
2 . Paul D.J. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits // Semiconductor Science Technology. 2004. V. 19. P. R75-R108.
3 . Stillinger F.H., Weber T.A. Computer simulation of local order in condensed phase of silicon // Physical Review B. 1984. V. 31. P. 5262-5270.
4 . Tersoff J. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems // Physical Review B. 1988. V. 39. P. 5566-5568.
5 . Hunenberger P.H. Thermostat algorithms for molecular dynamics simulations //Adv. Polymer. Sci. 2005. V. 173. P. 105-149.
6 . Sheppard D., Terrell R., Henkelman G. Optimization methods for finding minimum energy paths // The Journal of Chemical Physics. 2008. V. 128. P. 1-10.
7 . Tsai D.H. The virial theorem and stress calculation in molecular dynamics // J. Chem. Phys. 1979. V. 70. P. 1375-1382.
8 . Voigtlander B. Fundamental process in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth // Surface Science Reports. 2001. V. 43. P. 127-254.
9 . Raiteri P., Miglio L. Strain maps at the atomic scale below Ge pyramids and domes on a Si substrate // Applied Physics Letters. 2002. V. 80. P. 3736-3738.
10 . Pryor C., Kim J., Wang L.W. Comparison of two methods for describing the strain profiles in quantum dots // Journal of Applied Physics. 1997. V. 83. P. 2548-2554.