МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ GE/SI |
1 | |
2014 |
научная статья | 538.91 | ||
116-121 | моделирование, механические напряжения, гетероструктуры |
Методами молекулярной динамики моделируются поля упругих напряжений в структурах с одной и двумя квантовыми точками Si
x Ge
1-
x в матрице кремния. Обнаружены периодически изменяющиеся напряжения по контуру квантовых точек и несимметричное распределение напряжений. |
1 . Grimmeiss H.G. Silicon-germanium - a promise into the future // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. С. 1032-1034. 2 . Paul D.J. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits // Semiconductor Science Technology. 2004. V. 19. P. R75-R108. 3 . Stillinger F.H., Weber T.A. Computer simulation of local order in condensed phase of silicon // Physical Review B. 1984. V. 31. P. 5262-5270. 4 . Tersoff J. Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials for multicomponent systems // Physical Review B. 1988. V. 39. P. 5566-5568. 5 . Hunenberger P.H. Thermostat algorithms for molecular dynamics simulations //Adv. Polymer. Sci. 2005. V. 173. P. 105-149. 6 . Sheppard D., Terrell R., Henkelman G. Optimization methods for finding minimum energy paths // The Journal of Chemical Physics. 2008. V. 128. P. 1-10. 7 . Tsai D.H. The virial theorem and stress calculation in molecular dynamics // J. Chem. Phys. 1979. V. 70. P. 1375-1382. 8 . Voigtlander B. Fundamental process in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth // Surface Science Reports. 2001. V. 43. P. 127-254. 9 . Raiteri P., Miglio L. Strain maps at the atomic scale below Ge pyramids and domes on a Si substrate // Applied Physics Letters. 2002. V. 80. P. 3736-3738. 10 . Pryor C., Kim J., Wang L.W. Comparison of two methods for describing the strain profiles in quantum dots // Journal of Applied Physics. 1997. V. 83. P. 2548-2554. |