К ВОПРОСУ О ФИЗИЧЕСКИХ МЕХАНИЗМАХ ГЕНЕРАЦИИ ФЛИККЕРНОГО ШУМА В TI-AU/GAAS ДИОДАХ ШОТТКИ |
1 | |
2014 |
научная статья | 621.391.822 | ||
158-162 | диод Шоттки, низкочастотный шум, вольтамперная характеристика |
Обнаружена неоднородность протекания тока в диодах с контактом металл-полупроводник, вследствие чего в ВАХ проявляются дополнительные компоненты тока диода. Одна из компонент имеет квазиомический характер и проявляется при относительно малых токах. Второй дополнительной компонентой является ток термополевой эмиссии. Показано, что именно эти механизмы являются причиной возникновения низкочастотного шума в таких диодах. |
1 . Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник // ФТП. 2007. № 41(11). С. 1281-1308. 2 . Padovani F.A., Stratton R. Field and Thermionic- field emission in Shottky barriers // Solid-State Electronics. 1966. V. 9. P. 695-707. 3 . Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 c. [Пер. с англ.: Rhoderich E.H. Metal-Semiconductor Contacts. Oxford: Clarendon Press, 1978]. 4 . Клюев А.В. Низкочастотные шумы в наноразмерных полупроводниковых структурах: источники, измерение, методы анализа // LAP LAMBERT Academic Publishing, 2011. 208 с. |