ВЛИЯНИЕ ВНЕДРЕННОГО АЗОТА НА ФОРМИРОВАНИЕ ЦЕНТРОВ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ SIO2, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ SI+ |
| 2 | |
| 2001 |
| научная статья | 539.21:535.27:538.958 | ||
| 12-17 |
| В слои SiO2 имплантировали на одинаковую глубину ионы Si+ дозами (1?4)?1016 см-2 и N+ дозами (0,2?2)?1016 см-2. По спектрам фотолюминесценции следили за влиянием N на формирование нанокристаллов Si при отжигах 900?1100оС. Обнаружено, что с введением N главные условия образования нанокристаллов сохранялись, т.е. требовались наличие минимальной концентрации Si порядка 1021 см-3 и отжиги выше 1000оС. Однако введение N стимулировало уменьшение размеров выделений и рост их концентрации, что после отжига 1100оС давало возможность существенно усилить фотолюминесценцию. Влияние N объяснено образованием связей Si-N, блокирующих развитие кластеров и цепочек Si на ранних стадиях преципитации. |
 |
| 1 . Shimizu-Iwayama T., Nakao S., Saitoh K. // Appl. Phys. 1994. Lett, 65. 1814. 2 . Mutti P., Ghislotti G., Bertori S., Cerofolini G.F. et al. // Appl. Phys. Lett, 1995. 66. Р. 851. 3 . Kachurin G.A., Tyschenko I.E., Zhuravlev K.S., Pazdnikov N.A. et al. // Semicond. 1997. 31. Р. 626. 4 . Fujii M., Mimura A., Hayashi S, Yamamoto K. et al. // J. Appl. Phys. 2000. 87. Р. 1855. 5 . Тетельбаум Д.И., Карпович И.А., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. и др. // Поверхность, 1998. N5. С. 31. 6 . Withrow S.P., White C.W., Meldrum A., Budai J.D. et al. // J. Appl. Phys. 1999. 86. Р. 396. 7 . Patrone L., Nelson D., Safarov V.I., Sentis M., Marine W. et al. // J. Appl. Phys. 2000. 87. Р. 3829. 8 . Fujii M., Hayashi S, Yamamoto K. // J. Appl. Phys. 1998. Р. 83. 7953. 9 . Zhao J., Mao D.S., Lin Z.X., Jiang B.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. 73. 1838. 10 . Tsai J.-H., Yu A.-T., Shen B.C. Jpn. J. // Appl. Phys. 2000. 39. L107. 1 11 . Tyschenko I.E., Rebohle L., Yankov R.A., Skorupa W. et al. // J. Luminescence. 1999. 80. Р. 229. 1 12 . Kachurin G.A., Ruault M.-O., Gutakovskii A.K., Kaitasov O. et al. // Nucl. Instr. and Meth. 1999. B 147. Р. 356. 1 |