ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ И ТРАВЛЕНИЯ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА SI, ОБЛУЧЕННОГО ТЯЖЕЛЫМИ ИОНАМИ |
| 2 | |
| 2001 |
| научная статья | 539.21:535.27:538.958 | ||
| 37-40 |
| Исследуются люминесцентные свойства кремния, облученного тяжелыми ионами, в спектральной области λ = 700 - 1100 при комнатной температуре измерения. Установлено, что в области доз ~ 8·1013 см-2, для которой, согласно ранее выполненным расчетам, должна формироваться композиционная структура из нанокристаллических включений в аморфной матрице кремния, наблюдается фотолюминесценция (ФЛ). Спектр ФЛ представлен двумя пиками - при ~ 700 и 930 нм. После травления образцов в плавиковой кислоте (действует на a-Si, но не c-Si) ФЛ резко ослабляется. Пик при 930 нм приписан излучению аморфного кремния, а пик при ~ 700 нм - излучению нанокристаллитов Si. |
 |
| 1 . Тетельбаум Д.И., Трушин С.А., Питиримов А.В. // Тезисы докладов на XXIX международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 31 мая - 2 июня, 1999). 1999. С.119. 2 . Тетельбаум Д.И., Трушин С.А., Ревин Д.Г., Гапонова Д.М. и др. // Материалы совещания «Нанофотоника» (Н. Новгород, 20 - 23 марта 2000). С. 204 - 205. 3 . Тетельбаум Д.И., Трушин С.А., Питиримов А.В. // Известия РАН. Сер. Физика. 2000. Т. 64, № 11. С. 2168-2169. 4 . Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1962. 5 . Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. Х. Фрицше. М.: Мир, 1991. 6 . Shimizu-Iwayama T., Fujita K., Nakao S., Saitoh K. et al. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 7779. |