Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ МАСОК ДЛЯ МАСКИРОВАНИЯ ИОННОГО ПУЧКА В ТЕХНОЛОГИИ КМОП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Номер журнала	2
Дата выпуска	2001

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	538.22
Страницы	41-47	Ключевые слова

Авторы

Гранько С.В.Волк С.А.Леонтьев А.В.Комаров Ф.Ф.Камышан А.С.

Место работы

Гранько С.В. НПО Интеграл, Минск
Волк С.А. Белорусский государственный университет, Минск
Леонтьев А.В. Белорусский государственный университет, Минск
Комаров Ф.Ф. НИИ прикладных физических проблем, Минск
Камышан А.С. НИИ прикладных физических проблем, Минск

Аннотация

Рассмотрены актуальные вопросы маскирования ионного легирования в микроэлектронике. Показано, что решение поставленной задачи состоит из двух частей: выбора оптимальной толщины защитной маски и контроля возникающей при последующем удалении фоторезиста технологической дефектности.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Wilson R.G. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73(5). P. 2215.
2 . Комаров Ф.Ф., Леонтьев А.В., Григорьев В.В., Гранько С.В. // Вести НАН Б, сер. физ.-мат. № 1. 2000. С.75.
3 . Комаров Ф.Ф., Леонтьев А.В., Гранько С.В., Григорьев В.В. и др. // Вестник Белорусского ун-та.1999. № 3. С. 16.
4 . Ziegler J.P, Biersack J.P., Littmark U. Stopping and Ranges of Ions in Solids. Perg. Pr. New York . 1985. 321 p.