Формирование слоев ?-FeSi2 на Si было проведено с использованием высокодозной имплантации ионов Fe+ в Si (100) при комнатной температуре с последующей импульсной ионной обработкой (ИИО) мощным пучком наносекундной длительности. Показано, что ИИО имплантированного слоя приводит к образованию смеси двух фаз (FeSi и ?-FeSi2) с напряженным состоянием кристаллической решетки силицидов. Последующий кратковременный термический отжиг (8000, 20 мин) ведет к снятию решеточных напряжений и к полной трансформации фазы FeSi в фазу ?-FeSi2 с образованием сильно текстурированного слоя, ориентированного вдоль направления [110]. Результаты измерений оптического поглощения свидетельствуют о формировании структуры с прямой зонной щелью величиной Eg~0.83 эВ и шириной хвоста Урбаха E0~0.22 эВ.
|
