Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

ВЛИЯНИЕ РЕШЕТОЧНОГО РАССЕЯНИЯ НА ДИФРАКЦИЮ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ В КРИСТАЛЛЕ


Номер журнала
2
Дата выпуска
2001

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
537.533
Страницы
86-92
Ключевые слова
 

Авторы
Подсвиров О.А.
Карасёв П.А.

Место работы
Подсвиров О.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет

Карасёв П.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет


Аннотация
В работе проведено теоретическое исследование кинематической дифракции быстрых электронов на тонком кристалле ковалентного (неполярного) полупроводника или диэлектрика в присутствии тепловых колебаний. Анализ проводился при отказе от общепринятого предположения о кристаллическом потенциале как об аддитивной сумме атомных потенциалов. Была использована модель мягкого (деформационного) потенциала, учитывающая перераспределение объемного заряда под действием тепловых колебаний, что приводит к появлению разрывов в спектре электрон-фононного рассеяния вследствие разрывности фактора Дебая-Уоллера. Приводятся результаты расчетов спектра, как по традиционной модели жестких атомных потенциалов, так и по построенной модели.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Каули Дж. Физика дифракции. М.: Мир, 1979.
2 . Займан Дж. Электроны и фононы. М.: Мир, 1969.
3 . Подсвиров О.А. // ФТТ. 1997. Т. 39. в. 1. С. 18.