Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

ИССЛЕДОВАНИЕ ИМПЛАНТАЦИОННОГО СВЕЛЛИНГА АНТИМОНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ


Номер журнала
2
Дата выпуска
2001

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
621.315.592:620.19
Страницы
93-102
Ключевые слова
 

Авторы
Туловчиков В.С.
Филатов Д.О.
Киселев А.Н.

Место работы
Туловчиков В.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Филатов Д.О.
Научно-исследовательский и образовательный центр сканирующей зондовой микроскопии ННГУ

Киселев А.Н.
Научно-исследовательский и образовательный центр сканирующей зондовой микроскопии ННГУ


Аннотация
В работе методом атомно-силовой микроскопии в сочетании с селективным прецизионным травлением исследована поверхностная морфология образцов антимонида индия InSb после имплантации невысоких до 5.1014 см-2 доз ионов средних энергий в режимах, вызывающих свеллинг InSb. Изучена топография и измерены значения шероховатости облученных и необлученных участков поверхности при послойном препарировании образцов. Получены данные о характере нарушений структуры InSb по глубине и вдоль поверхности вблизи границы облученного и исходного монокристалла. Высокое разрешение метода позволяет наблюдать особенности изменения структуры облученного материала, в частности, образование локальных кристаллических микроструктур вблизи дефектов ростовой и механической природы на фоне тотальной деградации монокристалла вследствие свеллинга. Полученные данные уточняют механизм установленного нами ранее эффекта радиационного декорирования дефектов структуры при ионном облучении монокристаллов А3В5.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Данилов Ю.А., Попов Ю.С., Туловчиков В.С. // В сб.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы V Всесоюзной конференции. Ч. 2. Минск. 1978. С. 132-134.
2 . Павлов П.В., Данилов Ю.А., Туловчиков В.С. // Доклады АН СССР. 1979. Т. 248. № 5. С. 1111-1114.
3 . Данилов Ю.А., Туловчиков В.С. // Физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14. № 1. С. 197-200.
4 . Данилов Ю.А., Максимов С.К., Павлов П.В. и др. // Электронная техника, серия ТОПО. 1982. Вып. 1(110). С. 15-17.
5 . Попов Ю.С., Данилов Ю.А., Туловчиков В.С. и др. // В сб.: Тезисы докладов Х Совещания по проблемам применения пучков заряженных частиц для изучения состава и свойств вещества. М.: МГУ, 1979. С. 141.
6 . Данилов Ю.А., Туловчиков В.С. // В сб.: Активируемые технологические процессы в микроэлектронике. Вып. VII. Таганрог, 1984. С. 129-133.
7 . Туловчиков В.С., Данилов Ю.А., Жарков Е.С., Тихонова О.В. // В сб.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы VIII Всесоюзной конференции. Ч. 2. Минск, 1987. С. 251-253.
8 . Туловчиков В.С., Жарков Е.С., Мурель А.В. и др. // Материалы VII Международной конференции по микроэлектронике «Микроэлектроника 90». Т. 1. Минск, 1990. С. 66-68.
9 . Туловчиков В.С., Жарков Е.С., Мурель А.В. и др. // Вестник Нижегородского университета, сер.: Физ. тв. тела. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ. 1998. Вып. 2. С. 167-180.
10 . Туловчиков В.С., Жарков Е.С. // В сб.: Ионно-лучевая модификация материалов. Тезисы докладов Всесоюзной конференции. Черноголовка. 1987. С. 96. 1
11 . Федер Е. Фракталы. М.: Мир, 1991. 262 с. 1