Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

РОЛЬ ПРОЦЕССОВ БЛИСТЕРОВАНИЯ В МЕХАНИЗМЕ ЭФФЕКТА ДАЛЬНОДЕЙСТВИЯ ПРИ ИОННОМ ВНЕДРЕНИИ АРГОНА В КРЕМНИЙ


Номер журнала
2
Дата выпуска
2001

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.1.04
Страницы
110-119
Ключевые слова
 

Авторы
Демидов Е.С.
Карзанов В.В.
Круглов А.В.
Курганова Н.В.
Лобанов Д.А.
Марков К.А.

Место работы
Демидов Е.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Карзанов В.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Круглов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Курганова Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Лобанов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Марков К.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Методами контактной атомно-силовой микроскопии (АСМ) и ЭПР исследовано развитие процессов блистерования при облучении кремниевых пластин ионами аргона. Проведено сопоставление результатов АСМ и ЭПР для образцов, облученных аргоном, неоном и кремнием. Полученные данные позволяют дать качественное объяснение экспериментальным результатам более ранних работ, посвященных влиянию облучения ионами аргона на систему дефектов в кремнии, а также дают возможность понять причину дальнодействующих эффектов облучения при повышенных температурах.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Карзанов В.В., Павлов П.В., Демидов Е.С. // ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 11. С. 2064-2066.
2 . Павлов П.В., Демидов Е.С., Карзанов В.В. // Высокочистые вещества. 1993. №3. С. 31-37.
3 . Карзанов В.В. и др. // Высокочистые вещества. 1995. № 2. С. 44-46.
4 . Павлов П.В. и др. // ФТТ. 1973. Т. 15. Вып. 10. С. 2957-2960.
5 . Морозов Н.П., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1975. Т. 19. Вып. 3. С. 464-467.
6 . Pavlov P.V. et.al // Phys. stat. sol. (a). 1986. V. 129, n. 2. P. 395-401.
7 . Павлов П.В., Марков К.А., Карзанов В.В., Демидов Е.С. // Высокочистые вещества. 1995. № 2. С. 56-60.
8 . Карзанов В.В., Марков К.А., Мастеров Д.В. // Неорг. матер. 1998. Т. 34. № 9. С. 1138-1141.
9 . Демидов Е.С. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 1. С. 21-24.
10 . Демидов Е.С. Примесные состояния ионов группы железа в алмазоподобных полупроводниках // Дисс. на соискание уч. степ. доктора физ.-мат. наук. Нижний Новгород, 1994. 1
11 . Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Машин А.И., Хохлов А.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 1. С. 190-192. 1
12 . Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.:Наука, 1986. 1
13 . Ежевский А.А. и др.//Вестник Нижегородского университета. Сер. Физика твердого тела. 2000. Вып.1(3). С.221-229. 1
14 . Demidov E.S., Karzanov V.V., Markov K.A., Lobanov D.A. // 7th Rus.-Jap. Inter. Symp. "On Interaction of fast charged particles with solids" (program and abstracts). N. Novgorod, October 9-16, 2000. P. 27. 1
15 . Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 149-166. 1
16 . Ямада О. // В кн.:Химия синтеза сжиганием./ Под ред. М.Коидзуми. М.: Мир, 1998. С.68-75. 1