ИССЛЕДОВАНИЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ МАЛОРАЗМЕРНЫХ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР НА КРИСТАЛЛАХ INSB МЕТОДОМ НАВЕДЁННОГО ТОКА |
6 | |
2009 |
научная статья | 621.383.4:546 | ||
56-61 | антимонид индия, имплантация, наведенный ток, анодное окисление, постимплантационный отжиг |
Исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве |
![]() |
1 . Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпов В.В.// Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 6. С.72. 2 . Астахов В.П., Борисов С.Р., Варганов С.В. и др. Патент SU 1589963 A1 от 17.01.1995. 3 . Астахов В.П., Дудкин В.Ф., Кернер Б.С. и др. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. Вып. 5. С. 455. 4 . Якимов Е.Б. // Зав. лаб. 2002. Т. 68. С. 63. 5 . Wu C.J., Wittry D.B. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 2827. 6 . Kuiken H.K., van Opdorp C. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P. 2077. 7 . Donolato C. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. P. 270. 8 . Bielajew A.F. Fundamentals of the Monte Carlo method for neutral and charged particle transport. Ann Arbor: The University of Michigan, 2001. P. 348. 9 . Reimer L. Monte Carlo simulation MOCASIM. Software manual. Alte Schanze 22, D-48159 M?nster, Germany. 10 . Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпенко Е.Ф. и др. // Прикладная физика. 2000. № 3. С. 115. |