Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ВЛИЯНИЕ РЕЖИМА ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS/GAAS В МЕТОДЕ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ИХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА

Номер журнала	4
Дата выпуска	2013

Раздел

ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	621.382
Страницы	33-37	Ключевые слова	квантовые точки, фотоэлектрическая спектроскопия, фотолюминесценция, температурная зависимость фоточувствительности, эмиссия неравновесных носителей

Авторы

Волкова Наталья СергеевнаГоршков Алексей ПавловичЛевичев Сергей БорисовичЗдоровейщев Антон ВладимировичВихрова Ольга ВикторовнаИстомин Леонид Анатольевич

Место работы

Волкова Наталья Сергеевна Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Горшков Алексей Павлович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Левичев Сергей Борисович Minho University, Braga, Portugal
Здоровейщев Антон Владимирович НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Вихрова Ольга Викторовна НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Истомин Леонид Анатольевич Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Проведено сравнительное исследование оптоэлектронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении в разных технологических режимах. Показано, что режим с прерыванием роста позволяет выращивать квантовые точки, энергетический спектр которых слабо чувствителен к изменениям толщины покровного слоя GaAs и наличию в нем квантовой ямы InGaAs.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Bimberg D., Grundmann М., Ledentsov N.N. Quantum dot heterostructures. N.Y. USA: John Wiley & Sons, 1999. 338 p.
2 . Heinrichsdorff F., Ribbat Ch., Grundmann M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 556–558.
3 . Qi Y.D., Liang H., Tang W. et al. // J. Crystal Growth. 2004. V. 272. P. 333–340.
4 . Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Малкина И.Г. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. № 6. С. 418–422.
5 . Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Тихов С.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. № 1. С. 45–48.
6 . Ковш А.Р., Жуков А.Е., Малеев Н.А. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. № 8. С. 1020–1023.
7 . Nishi K., Saito H., Sugou S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N. 8. P. 1111–1113.
8 . Karpovich I.A., Zvonkov B.N., Baidus N.V. et al. // Trends in Nanotechnology Research. N.Y. USA: Nova Science, 2004. P. 197–208.
9 . Shu C.W., Wang J.S., Shen J.L. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2010. V. 166. P. 46–49.
10 . Gu Y., Yang T., Ji H. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 064320-1–064320-5.
11 . Chen R., Liu H.Y., and Sun H.D. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 013513-1–013513-5.
12 . Zvonkov B.N., Karpovich I.A., Baidus N.V. et al. // Nanotechnology. 2000. V. 11. P. 221–226.
13 . Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 2. С. 15–20.
14 . Карпович И.А., Филатов Д.О. // ФТП. 1996. Т. 30. № 10. С. 1745–1755.
15 . Datta Sh., Ghosh S., Arora B.M. // Rev. Sci. Instrum. 2001. V. 72. N. 1. P. 177–183.
16 . Здоровейщев А.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Демина П.Б. // Известия РАН. Серия Физическая. 2011. Т. 75. № 1. С. 31–33.
17 . Fry P.W., Itskevich I.E., Parnell S.R. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16784–16791.
18 . Chang W.H., Hsu T.M., Huang C.C. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. N. 11. P. 6959–6962.
19 . Гуткин А.А., Брунков П.Н., Жуков А.Е. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. № 9. С. 1122–1125.