СТРУКТУРНАЯ МОДИФИКАЦИЯ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ |
4 | |
2013 |
научная статья | 539.234, 537.533.35 | ||
38-41 | кремний на сапфире, молекулярно-лучевая эпитаксия, дефект двойникования, ВРПЭМ, вюрцитный кремний |
Методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРПЭМ) обнаружена модификация алмазоподобной структуры в наноразмерных слоях кремния на сапфире, выращенных при пониженных температурах. Возникновение включений со структурой, отличной от структуры алмаза, связывается с образованием в кристаллической решетке кремния областей интенсивного двойникования и скоплений дефектов упаковки, формирующих собственную кристаллическую структуру. Дифракционный эксперимент в режиме нанодифракции также показал, что структура кремния в областях массивов дефектов двойникования отлична от структурного типа алмаза. Выдвинута гипотеза о гексагональном строении фазовых включений модифицированного кремния на основе общих теоретических представлений о дефектообразовании в этом материале. |
![]() |
1 . Шмытько И.М., Изотов А.Н., Афоникова Н.С. и др. Фазовые переходы в монокристаллах кремния, обусловленные ориентированной пластической деформацией // Физика твёрдого тела. 1998. Т. 40. № 4. С. 746–749. 2 . Twig M.E., Richmond E.D., Pellegrino J.G. Elimination of microtwins in silicon on sapphire by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 18. P. 1766–1768. 3 . Abrahams M.S., Buiocchi C.J. Cross-sectional electron microscopy of silicon on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 27. № 6. P. 325–327. 4 . Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф., Фаддеев М.А. Основы кристаллографии. М.: Изд-во физико-математической литературы, 2004. 5 . Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твёрдого тела. Н. Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 1993. 490 с. 6 . Шиляев П.А. и др. Молекулярно-лучевое осаждение сверхтонких слоёв кремния на сапфире // Материалы электронной техники. 2008. № 2. С. 62–66. 7 . User's Guide: Precision Ion Polishing System. Gatan Inc. 1998. Revision 3.11. P.118. 8 . Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. и др. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоёв кремния на сапфире/ // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2012. Т. 3. С. 30–33. 9 . Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В. и др. Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия РАН. Серия Физическая. 2012. Т. 76. № 9. C. 1141–1143. 10 . Павлов Д.А., Шиляев П.А., Кривулин Н.О. и др. Влияние условий молекулярно-лучевого осаждения на структуру и свойства слоёв кремния на сапфире// Материалы электронной техники. 2010. № 4. С. 44–48. |