Главная страница
russian   english
16+
<< назад

Название статьи

СТРУКТУРНАЯ МОДИФИКАЦИЯ КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ


Номер журнала
4
Дата выпуска
2013

Тип статьи
научная статья
Коды УДК
539.234, 537.533.35
Страницы
38-41
Ключевые слова
кремний на сапфире, молекулярно-лучевая эпитаксия, дефект двойникования, ВРПЭМ, вюрцитный кремний

Авторы
Павлов Дмитрий Алексеевич
Шиляев Павел Анатольевич
Кривулин Николай Олегович
Бобров Александр Игоревич
Пирогов Алексей Владимирович

Место работы
Павлов Дмитрий Алексеевич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Шиляев Павел Анатольевич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Кривулин Николай Олегович
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Бобров Александр Игоревич
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Пирогов Алексей Владимирович
Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского


Аннотация
Методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРПЭМ) обнаружена модификация алмазоподобной структуры в наноразмерных слоях кремния на сапфире, выращенных при пониженных температурах. Возникновение включений со структурой, отличной от структуры алмаза, связывается с образованием в кристаллической решетке кремния областей интенсивного двойникования и скоплений дефектов упаковки, формирующих собственную кристаллическую структуру. Дифракционный эксперимент в режиме нанодифракции также показал, что структура кремния в областях массивов дефектов двойникования отлична от структурного типа алмаза. Выдвинута гипотеза о гексагональном строении фазовых включений модифицированного кремния на основе общих теоретических представлений о дефектообразовании в этом материале.

Загрузить статью

Библиографический список
1 . Шмытько И.М., Изотов А.Н., Афоникова Н.С. и др. Фазовые переходы в монокристаллах кремния, обусловленные ориентированной пластической деформацией // Физика твёрдого тела. 1998. Т. 40. № 4. С. 746–749.
2 . Twig M.E., Richmond E.D., Pellegrino J.G. Elimination of microtwins in silicon on sapphire by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 18. P. 1766–1768.
3 . Abrahams M.S., Buiocchi C.J. Cross-sectional electron microscopy of silicon on sapphire // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 27. № 6. P. 325–327.
4 . Чупрунов Е.В., Хохлов А.Ф., Фаддеев М.А. Основы кристаллографии. М.: Изд-во физико-математической литературы, 2004.
5 . Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твёрдого тела. Н. Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 1993. 490 с.
6 . Шиляев П.А. и др. Молекулярно-лучевое осаждение сверхтонких слоёв кремния на сапфире // Материалы электронной техники. 2008. № 2. С. 62–66.
7 . User's Guide: Precision Ion Polishing System. Gatan Inc. 1998. Revision 3.11. P.118.
8 . Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. и др. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоёв кремния на сапфире/ // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2012. Т. 3. С. 30–33.
9 . Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В. и др. Исследование КНС-структур методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия РАН. Серия Физическая. 2012. Т. 76. № 9. C. 1141–1143.
10 . Павлов Д.А., Шиляев П.А., Кривулин Н.О. и др. Влияние условий молекулярно-лучевого осаждения на структуру и свойства слоёв кремния на сапфире// Материалы электронной техники. 2010. № 4. С. 44–48.