ИНФРАКРАСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ |
| 4 | |
| 2013 |
| научная статья | 539.216.2:538.975 | ||
| 42-55 | карбид кремния, ионная имплантация, структура, кристаллизация |
| Произведена имплантация ионов |
 |
| 1 . Liao F., Girshick S.L., Mook W.M., et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 171913–171915. 2 . Афанасьев А.В., Ильин В.А., Корляков А.В. и др. Карбид кремния. Вклад СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Признание и перспективы // В кн.: «Физика и технология микро- и наносистем» / Под ред. В.В. Лучинина и В.В. Малиновского. СПб.: Изд-во «Русская коллекция», 2011. С. 50–86. 3 . Lebedev A.A., Nelson D. K., Razbirin B.S. et al. // Semiconductors. 2005. V. 39. Iss. 10. P. 1194–1196. 4 . Семенов А.В., Лопин А.В., Пузиков В.М. и др. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 6. С. 845–852. 5 . United State Patent. Pub. № US 2004/0180242 A1. Oguri K., Sekigawa T. Sep.16, 2004. 6 . Yаn Н., Wang В., Song Х.М., et al. // Diamond and related materials. 2000. V. 9. P. 1795–1798. 7 . Chen D., Wong S.P., Yang Sh., Mо D. // Thin Solid Films. 2003. V. 426. P. 1–7. 8 . Liangdeng Y., Intarasiri S., Kamwanna T., Singkarat S. Ion beam synthesis and modification of silicon carbide // In book: Ion beam applications in surface and bulk modification of insulators. IAEA-TECDOC-1607. Austria, Vienna, 2008. P. 63–92. 9 . Lindner J.K.N. // Appl. Phys. A. 2003. V. 77. P. 27–38. 10 . Borders J.A., Picraux S.T., Beezhold W. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. Iss. 11. P. 509–511. 11 . Bayazitov R.M., Haibullin I.B., Batalov R.I., et al. // Nucl. Instrum. Meth. in Phys. Res. В. 2003. V. 206. P. 984–988. 12 . Serre C., Romano-Rodr?guez A., P?rez-Rodr?guez A., et al. // Sensors and Actuators. A. Physical. 1999. V. 74(1–3). P. 169–173. 13 . Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., et al. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2009. V. 3. № 5. P. 702–708. 14 . Belov A.I., Mihailov A.N., Nikolichev D.E. et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. Iss. 11. P. 1450–1456. 15 . Nussupov K.Kh. and Beisenkhanov N.B. // In book: Silicon carbide – Materials, Processing and Applications in Electronic Devices / Ed. by Moumita Mukherjee. InTech. Chapter 4. 2011. P. 69–114. 16 . Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V., et al. // J. of Materials Science: Materials in Electronics. 2008. V. 19. Р. 254?262. 17 . Герасименко Н.Н., Кузнецов О.Н., Лежейко Л.В. и др. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3. Вып. 5. С. 467–468. 18 . Beisenkhanov N.B. // Technical Physics. 2011. V. 56. № 2. Р. 274–281. 19 . Akimchenko I.P., Kisseleva K.V. et al. // Radiation Effects. 1977. V. 33. P. 75–80. 20 . Баранова Е.K., Демаков K.Д., Старинин K.В. и др. // Доклады АН СССР. 1971. 200. C. 869–870. 21 . Kimura T., Kagiyama Sh. and Yugo Sh. // Thin Solid Films. 1981. V. 81. P.319–327. 22 . Srikanth K., Chu M., Ashok S., et al. // Thin Solid Films. 1988. V.163. P. 323–329. 23 . Gupta S.K., Akhtar J. // In book: Silicon car-bide – Materials, Processing and Applications in Elec-tronic Devices / Ed. by Moumita Mukherjee. InTech. Chapter 9. 2011. P. 207–230. 24 . Gibbons J.F., Johnson W.S. and Hylroic S.W. // In book: Projected Range Statistics. 2nd ed. Dowden, Stroudsburg. PA. Part 1. 1975. 93 p. 25 . Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Доща-нов А.М. и др. // Вестник ННГУ. 2011. № 2. С. 38–45. 26 . Edelman F.L., Kuznetsov O.N., Lezheiko L.V. and Lubopytova E.V. // Radiation Effects. 1976. V. 29. P. 13–15. 27 . Lyddane R.H., Sachs R.G., Teller E. // Phys. Rev. 59. 1941. P. 673–676. 28 . Spitzer W.G., Kleinman D., Walsh D. // Phys. Rev. 1959. V.113 (1). P. 127–132. 29 . R.E. Peierls //In book: Quantum theory of solids. Oxford: Clarendon Press, 1956. P. 54–58. 30 . Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Мордвинова Ю.А. // Физика и техника полу-проводников. 1987. Т. 21. Вып. 3. С. 531–535. 31 . Mutschke H., Andersen A.C., Cl?ment D., et al. // Astron. Astrophys. 1999. V. 345. P. 187–202. 32 . Bohren C.F., Huffman D.R. // In book: Absorption and Scattering of Light by Small Particles. New York: John Wiley & Sons Inc., 1983. 530 p. 33 . Mel’nichuk A.V., Pasechnik Yu.A. // Sov. Phys. Solid State. 1992. V. 34(2). P. 227–229. 34 . Engelbrecht F., Helbig R. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48(21). P. 15698–15707. 35 . Spitzer W.G., Kleinman D.A., Frosch C.J. // Phys. Rev. 1959. V. 113(1). P. 133–136. 36 . Zorba T., Siapkas D.I and Katsidis C.C. //Microelectron. Eng. 1995. V. 28. P. 229–232. 37 . Pfennighaus K., Fissel A., Oehme M., et al. Neue Ergebnisse der MBE von 3C-SiC-Schichten auf Si(111) // In book: Fr?hjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. M?nster: Leibniz Universitat Hannover, 1997. 38 . Hobert H., Dunken H.H., Peiter G., et al. // Appl. Phys. A. 1999. 69 (1). P. 69–76. 39 . Zorba T.T., Mitsas C.L., Siapkas I.D., et al. // Applied Surface Science. 1996. V. 102. P. 120–124. 40 . Musumeci P., Reitano R., Calcagno L. et al. // Philosophical Magazine. B. Physics of Condensed Matter. Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic. 1997. V. 76(3). P. 323–333. 41 . Harima H., Nakashima S.I., Uemura T. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78(3). P. 1996–2005. 42 . Ossenkopf V., Henning Th., and Mathis J. S. //Astron. Astrophys. 1992. V. 261. P. 567–578. 43 . Глинка Н.Л. Общая химия / Под ред. В.А. Рабиновича. 24-e изд. Л.: Химия, 1985. 702 с. 44 . Полинг Л., Полинг П. Химия. М.: Издательство «Мир», 1978. 683 c. 45 . Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Хохлов Д.А. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28. Вып. 10. С. 1750 –1754. 46 . West R., Fink M.J., Michl J. // Science. 1981. V.214. P. 1343–1344. 47 . Williams J.S., Poate J. M. // In: Ion Implanta-tion and Beam Processing / Ed. by J.S. Williams, J.M. Poate. Melbourne: Academic Press, 1984. 419 p. 48 . Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B., Tokba-kov J. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. 1995. V. 103. P. 161?174. 49 . Семенов А.В., Пузиков В.М., Голубова Е.П. и др. // ФТП. 2009. T. 43. Вып. 5. С. 714–718. |