Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия: Социальные науки

16+

Название статьи

ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОСТРУКТУРНОМ ДИОДЕ В МОМЕНТ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ

Номер журнала	4
Дата выпуска	2013

Тип статьи	научная статья	Коды УДК	53.082, 538.95
Страницы	64-66	Ключевые слова	наноразмерные приборы, радиационное воздействие, динамика формирования кластера дефектов

Авторы

Волкова Екатерина ВалерьевнаОболенский Сергей Владимирович

Место работы

Волкова Екатерина Валерьевна Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского
Оболенский Сергей Владимирович Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского

Аннотация

Проведено моделирование процессов формирования кластера радиационных дефектов в диоде с нанометровыми размерами активной области. Исследованы процессы переноса электронов в момент радиационного воздействия и обсуждена информативность гипотетического эксперимента, позволяющего провести анализ пикосекундных процессов стабилизации кластера радиационных дефектов.

Загрузить статью

Библиографический список

1 . Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 311 с.
2 . Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Университетское, 1992. 219 с.
3 . Оболенский С.В. Моделирование структуры кластера радиационных дефектов в полупроводниках при нейтронном облучении // Изв. вузов: Электроника. 2002. № 6. С. 31–38.
4 . Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 128 с.
5 . Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. 332 с.
6 . Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.