ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОСТРУКТУРНОМ ДИОДЕ В МОМЕНТ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ |
4 | |
2013 |
научная статья | 53.082, 538.95 | ||
64-66 | наноразмерные приборы, радиационное воздействие, динамика формирования кластера дефектов |
Проведено моделирование процессов формирования кластера радиационных дефектов в диоде с нанометровыми размерами активной области. Исследованы процессы переноса электронов в момент радиационного воздействия и обсуждена информативность гипотетического эксперимента, позволяющего провести анализ пикосекундных процессов стабилизации кластера радиационных дефектов. |
1 . Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 311 с. 2 . Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Университетское, 1992. 219 с. 3 . Оболенский С.В. Моделирование структуры кластера радиационных дефектов в полупроводниках при нейтронном облучении // Изв. вузов: Электроника. 2002. № 6. С. 31–38. 4 . Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 128 с. 5 . Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. 332 с. 6 . Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с. |